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[参考译文] MSP432E401Y:器件勘误文档

Guru**** 2561060 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP432E401Y

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/805965/msp432e401y-silicon-errata-document

器件型号:MSP432E401Y

大家好、我和我的团队正在开发商业产品、我们正在使用 MSP432E401Y。 但几天前、我们找到了此勘误文档 :http://www.ti.com/lit/er/slaz709/slaz709.pdf

我想知道这些问题是否有更新。 该文档是从2017年开始的、我想知道我们现在购买的微控制器是否仍然存在这些问题。

谢谢你

Richard

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    您好!
    目前没有更新、您链接到的文档是最新的。 如果您想接收更新通知、请单击产品页面顶部的"通知我"按钮。

    此致、
    Chris
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    好的、Chris、谢谢。 但只是为了确认:如果我 购买代码为 MSP432E401的芯片、根据该勘误文档、这些芯片不会出现这些问题、对吧? 只有具有代码 XMS 的芯片才会出现这些问题。 是这样吗? 我之所以提出这一问题、是因为我们计划为我们的商业产品购买大量这些芯片。

    谢谢你

    Richard

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    Richard、
    这是不正确的。 XMS 器件和 MSP (完全生产)器件共用同一个勘误表。 XMS 和 MSP 微型化与硅工艺的质量相关。 XMS 没有完全合格、以便在完全合格的器件可用之前为客户提供早期开发机会。

    勘误表是指器件不符合原始设计说明的器件设计问题。 这些问题在鉴定中没有解决、但需要重新设计。 这将在裸片修订号中指示。

    我希望这一点更加明确。 您能否提供您所参考的勘误文本、我会要求对其进行更正?

    此致、
    Chris
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    我们最近了解了 MSP432E4微控制器的芯片勘误表(SLAZ709-2017年10月)。 我们使用 MSP432E401YT 并生产了一小批产品。

    在所有错误中、我们认为最重要的是 GPIO#9 (PB0和 PB1高电流消耗)和 MEM#15 (闪存位置不会被擦除)。 是否有方法可以有效且快速地诊断此器件错误? 可能检查 NVIC 寄存器?

    对于这些情况、首选的权变措施是什么? 对于 MEM#15、我们如何确保避免使用此闪存地址?
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    您好!
    GPIO#9参考 IO 结构中的问题、该问题将导致输入锁存并灌入电流。 器件内没有检测这种情况的机制。 这是用于 USB 应用、CAN 还是某些其他需要 PB0和 PB1的接口? 理想情况下、这些引脚不会被使用、但是作为替代方法、您可以放置元件来限制信号超过说明中的转换时间(2ns 10-90%Vdd)。

    MEM#15权变措施是简单地向一个段写入2个以上的字。 我已要求我的同事对此进行评论、但我不相信驱动程序会处理此用例。

    此致、
    Chris
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    您好 Richard、

    将持久数据或值写入闪存时、可能会发生 MEM#15、以便在后续的电源周期中使用、如配置数据。

    在非常具体的情况下、当只写入一个组中最后一行扇区的前两个字中的一个或两个字时、可能会发生此问题。

    勘误表中已提到解决方法。

    您还可以在擦除后读取受影响的位置、并检查它们是否被擦除。

    谢谢、
    SAI