我们已选择 MSP430F5359控制器进行便携式仪器开发。
由于器件是便携式的、我们的第一个选择标准是低电流消耗
在 μA 表中、当频率为8MHz、3.0V、闪存程序时、额定频率为295 μ A/MHz
以上陈述的含义是什么
如果晶体为1MHz、则流耗为295uA
如果使用8MHz 晶振、则为295 * 8uA
请澄清
对此,
Anushka
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我们已选择 MSP430F5359控制器进行便携式仪器开发。
由于器件是便携式的、我们的第一个选择标准是低电流消耗
在 μA 表中、当频率为8MHz、3.0V、闪存程序时、额定频率为295 μ A/MHz
以上陈述的含义是什么
如果晶体为1MHz、则流耗为295uA
如果使用8MHz 晶振、则为295 * 8uA
请澄清
对此,
Anushka
你好,Anushka
感谢您的帖子和问题!
具有高频晶体的8MHz MCLK 上的 F5359工作模式总功耗约为2.6mA
请参阅 MSP430F5359 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/msp430f5359.pdf 上的以下说明
如果您需要8MHz 的低工作功耗 MCU、我建议您使用基于 FRAM 的 MSP430器件、但最大的存储密度为256K 字节。
请参阅具有256KB FRAM 的 FR5994 DS: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/msp430fr5994.pdf 第29页、8MHz 和75% FRAM 命中率下的工作模式为~1mA (1015uA)。