[参考译文] MSP430FR5739：FRAM 可靠性

Alwin、

我将您的帖子拆分为不同的主题、因为这是一个新请求。 MSP430FR5739器件是否暴露在任何高温环境下？ 当超过额定最大存储温度(Tstg = 95°C)时、无法确保 FR57xx 器件上的数据保持、请参阅《MSP430 FRAM 质量和可靠性应用报告》(SLAA526)的第2.2.2节以了解更多信息。 显示此问题的器件百分比是多少？错误是否始终位于完全相同的存储器位置？ 请提供固件的内存映射的准确位置。 首先是如何发现内存丢失？

此致、
Ryan

您好、Ryan、

此器件不涉及高温。 但是、我将尝试提供更多有关器件使用的上下文、因为它看起来很相关。

MSP MC 用于控制另一个高压器件的器件中。 我认为这是一个重要方面。 因此、该器件通过低电压(调制3V)与另一个生成7kV 高电压的器件进行通信。 现在、我无法保证在公共 GND 上发生微放电、并将其返回到控制器件。 但是、使用 FRAM 处理器的控制器件确实具有高速 ESD 保护二极管、用于保护其免受微放电的影响、我们在公共接地进行了感应高压放电测试、以检查 FRAM 处理器的可靠性以及高压放电。 在这些测试中、我们注意到没有发生内存损失。

我还没有大量的统计数据、因为这些控制器件中只有少数(大约15个)在使用。 但是、其中两个已经显示了存储器丢失、因为有些位已经被擦除、必须重新编程才能正常工作。 从第一次出现开始、我就没有关于哪个特定地址的确切信息、因为此时我不会遇到存储器丢失问题。但是、第一个器件的故障行为与第二个器件不同、因此我希望涉及不同的存储器字节。 我们创建了具有完整硬件子电路自检且全部成功通过的器件、因此我唯一可以尝试的选择是再次上传固件(通过内部引导加载程序)、然后不可思议的是、器件在该过程后能够正常运行。 遗憾的是(因为我不希望内存丢失) 在上载新固件之前、我没有进行内存转储。

当此问题再次发生时、我将在上传新固件之前进行另一次内存转储、以检查是否存在任何一致的因素。

此致、

Alwin

您好、Ryan、

故障状态可能不容易重现、因为我们不知道触发它的原因。

您对去耦电容器的评论让我在原理图中仔细检查了这些。 由于某种原因、在我们的原理图中、两个10uF 电容器被指定为1uF。 实际上、FR5739数据表显示它们应该是10uF。 因此、我们将开始进行新的修订、以使用正确的值替换这些电容器。

基于 XTAL 振荡器的主工作频率为16MHz (使用 XT1DRIVE_2驱动电平)。

Vcore 的步进保留为默认值。 我没有在守则内作出特别安排。

此致、

Alwin

Alwin、

请务必更改去耦电容器、该设计可能会违反 CVCC/CVCORE 电容器最小比率10。 忽略我的 Vcore 级别注释、因为我忘记了这对于 FRAM 器件不是必需的。

此致、
Ryan

我刚刚收到了使用新固件更新的同一器件、再次在代码段中擦除了两个字节。 我现在可以确认它不是同一个存储器位置、尽管它是同一个段(代码段从0xC200开始)。 再说一次、它仅是两个字节被擦除至0x00。

该特定器件中的1uF 电容器将替换为10uF 电容器、以查看问题是否再次出现。 示波器测量 Vcc 和 Vcore 之前和之后也会执行的操作。