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[参考译文] MSP430G2553:msp430g2553中的闪存编程

Guru**** 2540720 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/586599/msp430g2553-flash-memory-programming-in-msp430g2553

器件型号:MSP430G2553
主题中讨论的其他器件:ash

大家好、

我正在执行一个程序来写入/修改闪存中的一些数据、但我无法修改闪存。打开"Memory"窗口后、我无法更改默认值


cdecls C、list、"msp430.h";包含器件头文件

;------------------------------------------------------------------
.text;汇编到程序存储器中
全局复位
.retain;覆盖 ELF 条件链接
;并保留当前部分
.retainrefs;另外保留任何段
;具有电流基准
;部分
;------------------------------------------------------------------
重置 mov.w #_stack_end、SP;初始化 stackpointer
StopWDT mov.w #WDTPW|WDTHOLD、&WDTCTL;停止看门狗计时器

主程序
MOV.w #0x100、R9
MOV.w #0x200、R10

环路


CLRC
MOV.w @R9、r11
MOV.w @r11、R10
MOV.w @R10、R9

INC R9
INC R10
JMP 环路
;------------------------------------------------------------------
;堆栈指针定义
;------------------------------------------------------------------
.global __stack_end
.sect .stack

;------------------------------------------------------------------
;中断矢量
;------------------------------------------------------------------
.sect ".reset";MSP430复位矢量
短路复位
.end

ash memory.在 MEMORY 窗口中我无法编辑任何内容

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    闪存用于通常为只读的数据。
    用户指南的第7章描述了闪存的运行方式;请特别参阅第7.3.2节。 简而言之:在不首先擦除整个段的情况下、不能写入闪存。

    调试器不支持直接更改闪存中的值、因为这会影响其他数据。

    G2553具有256字节的 SRAM (位于地址0x0200-0x02FF 处)、可随意更改。
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    如果我正在写入 mov.w R9、#0x0200h 或 mov.w #0x0200h、R9、则存在编译错误。 那么,我如何通过写入来修改 SRAM 中的数据呢?