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[参考译文] MSP430F6659：EEPROM 页读取/写入周期较慢

admin
Guru**** 2027820 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F6659
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/564990/msp430f6659-eeprom-page-read-write-cycle-is-slow

器件型号：MSP430F6659

尊敬的 TI：

我在项目中使用 MSP430F6659与 EEPROM 25AA1024进行通信。 25AA1024具有 SPI 接口和256字节页大小。 我已经使用 Fletcher16算法来实现 CRC 逻辑、以在读取/写入期间检查数据损坏。 一个 EEPROM 页面具有254个数据字节和2个字节的 CRC。 MSP460F6659以1MHz 时钟频率运行。

现在、当我在具有 CRC 的 EEPROM 中进行读/写操作时、大约需要180ms 的时间来完成该过程。 因此、我希望显著缩短此时间。

我尝试使用以下逻辑来缩短时间  

1) 1)提高 SPI 时钟速度。

2) 2)将页面大小减小到32字节而不是256字节。

请推荐任何其他算法、以便我可以缩短时间。

谢谢、此致、

Rahul Patil

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    TI__Guru**** 2027820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Rahul、

    尝试也提高 CPU 频率、或使用 SPI + DMA 自动传输整个页面。 E2E 论坛上有几个相关主题、TI 提供了一些代码示例(msp430x54xA_dma_03.c 等)来帮助您快速入门。

    此致、
    Ryan
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    TI__Guru**** 2027820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用 user="Rahul Patil63"]现在，当我在具有 CRC 的 EEPROM 中读/写时，大约需要180ms 的时间来完成该过程。[/引用]

    EEPROM 读取和写入明显不同。 这种说法过于含糊。

    [引用 user="Rahul Patil63"]善意地建议了任何其他算法，以便我可以缩短时间。

    EEPROM 或闪存擦除/写入周期用于每节电池花费毫秒的时间。

    我强烈建议您加入一份相关数据表的研究、并更仔细地准备您的实验和帖子。

  • 0
    TI__Guru**** 2027820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用 USER="Ryan Brown1"]尝试提高您的 CPU 频率或使用 SPI + DMA 自动传输整个页面。

    使用 PAGE 模式最为重要、因为根据数据表、单字节写入时间或整页写入时间等于6ms。 如果您为每个字节发送地址并调用写入-难怪它需要这么长的时间。 您必须先发送地址一次、然后发送256个字节、然后调用写入。 使用 DMA 并不像正确使用 EEPROM 那样重要。 此外、阅读(EEPROM)文档也很重要。