[参考译文] MSP430FE4272：MSP430FE4272

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/601734/msp430fe4272-msp430fe4272

器件型号：MSP430FE4272

你(们)好

我的英语不好

本文基于 Google Translator、因此请了解您的语法是否奇怪。

我将使用 MSP430的闪存。但我并不完全理解如何使用它。

我每10秒写入一次数据、我认为由于编程/擦除耐久性、存在问题。

我按2个字节顺序写入闪存、当32KB 已满时、我将其删除并尝试写入新数据。

MSP430闪存的编程/擦除寿命是100、000倍。

msp430fe4272的闪存地址被称为0x8000 ~ 0xFFFF。对吗？

2.我不知道当我擦除一个段或擦除整个段时、100、000次的次数是否会增加。

请查看此源代码。

void flash_erase (int *addr)
｛
   _DINT ()；//禁用中断。否则、这很重要、
   //可能发生中断时正在进行闪存操作
   //系统崩溃。
   while (Busy & FCTL3)；//检查是否正在使用闪存
   FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3；// Clk = SMCLK/4
   FCTL1 = FWKEY + ERASE；//设置擦除位
   FCTL3 = FWKEY；//清除锁定位
   *addr = 0；//虚拟写入来擦除闪存段
   while (Busy & FCTL3)；//检查是否正在使用闪存
   FCTL1 = FWKEY；//清除 WRT 位
  FCTL3 = FWKEY + LOCK；//设置 LOCK 位
  _EINT()；
｝

上面的源代码是否正在擦除一个段？或删除整个句段？

请告诉我如何一次删除整个句段。

并且、

定期写入2个字节的数据时、请提供一种有效的方法或示例。

8 年多前