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[参考译文] MSP430FR5739:我想更好地了解如何在读取和写入操作的电源转换期间保护 FR 存储器免受损失。

Guru**** 2539500 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/601304/msp430fr5739-i-would-like-to-understand-better-how-fr-memory-is-protected-against-loss-during-power-transitions-for-both-the-read-and-write-operations

器件型号:MSP430FR5739

今天、我们在设计评审中提出了有关 FR 技术的问题。 具体而言、由于 FR 技术要求每次读取都进行回写、因此在读取操作期间断电时、可以防止或减少数据损坏的可能性。 显然、由于读取频率很高、 这个问题必须在芯片中得到解决、但我没有发现任何东西可以说明为防止这种情况成为问题而采取的措施。  感谢您为我们提供有关本主题的任何深入文档的任何指导、我们可以使用这些指导向客户保证我们不会发生这种情况。 我还希望获得支持相同写入操作的信息、因为我在互联网上看到过一些讨论、即这一点已经被发现、并且需要在验证写入时以某种方式使关键数据变得冗余。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    FRAM 常见问题解答(SLAT151)指出:

    与闪存/EEPROM 相比,FRAM 的主要优势是什么?

    […]
    3.数据可靠性。 由于只需要少量能量、因此 FRAM 所需的所有功率在数据写入开始时都是预先加载的。 这可以避免“数据分裂”,即数据的部分写入,当基于闪存的 MCU 在写周期从电源中移除时,就会发生这种情况。