[参考译文] CCS/MSP430-3P-GCC-MSPGCC-TPDE：MSP430G2553

感谢您的 aswer Katie。
我们有一些解决此问题的方法。我们在解决方案中使用74HC164和 HEF4014移位寄存器。
在我们的设计中、我们选择使用 Cypress CYDMX128A16/CYDMX128B16。 这个 RAM 是专用 RAM。 该 RAM 具有两个端口。 两个端口分别为：一个专用的时分复用地址和数据(ADM)接口和一个可配置的标准 SRAM 或 ADM 接口。 这两个端口允许对任何存储器位置进行独立、异步的读取和写入访问。 每个端口都有独立的控制引脚：芯片选择(CS#)、写入使能 x (W#)和输出使能(OE#)。 我们决定使用正确的、并将其作为 SRAM 运行。 同时 RAM 具有锁存操作。
由于 MSP430G2553上没有足够的引脚、因此我们确定了串行输入和输出的用法。 因为我们需要使用移位寄存器。 为了能够减少激励时间、我们将寄存器的两个部分拆分、其中存储器的每个部分都是8位。 对于串联输入并联输出寄存器、我们选择了74HC164；对于并联输入串联输出、我们使用了4014移位寄存器。 由于我们将所有操作分为两个部分、因此我们需要使用两个寄存器。 总共使用了6个寄存器、其中2个寄存器为并行输入串联输出、4个寄存器为串联输入并联输出。
在编程的一侧、我们确定了构建三个函数、以将地址写入寄存器、将数据写入两个寄存器、并从寄存器中读取数据。 在 main 函数中，我们控制 RAM 是其他使能和时钟脉冲，我们调用在程序中构建的必要函数。然后，由于我们的程序，实施128K RAM 空间并与我们所选的 RAM 进行通信。

但我们在时间上有问题。我们如何才能为我们的计划提供必要的时间延迟？

此致，
Sam