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您好!
我有以下设置:
由 TPS PMIC 通过"零偏置"输出供电的 MSP430。 PMIC 由具有4.2电压的外部 VCC 供电。 因此、默认情况下、VMICRO 为 MCU 提供(4.2V-1.4V) 2.8V 电压。 对于闪存、我有一个具有 eZ-FET Lite (MSP-EXPF5529LP)的 LaunchPad。 eZ-FET 部件可在3.3V 电压下工作。
那么、我的问题是、哪种闪烁方式对我的设置来说是最危险/最不危险的方式?
1、VMICRO 电压范围为2.8V、仅使用两个"线性"(SBW RST/TST)连接。
这会导致 MCU 上的 IOVCC 为3.3V、比建议的 VCC +/- 0.3V 更重要的方法(关于数据表)。
因此 IO 的二极管必须努力工作?!
2.使用 eZ-FET 部件中的 V+并在 MCU VCC 上获得3.3V 电压。 因此 VCC 和 IOVCC 是相同的。
但是、这对于 PMIC 而言是否是一个问题、它会获得通过 VMICRO 注入的更高的电压储备?
遗憾的是、我无法找到有关零偏置器件内部结构的更详细信息。
也许有人知道更多?
我无法更改设置、因此请将其固定。
我感谢您的任何建议或提示。
此致、
Andreas
对于此器件、我使用具有启用/禁用选项的稳压器(逻辑输入)、当稳压器禁用时、稳压器输出处于高阻态、因此外部电压(对于 MSP 为1.8至3.3V)不会损坏稳压器。 否则、我会有一个简单的板载跳线、用于断开 MSP 与板载稳压器的连接。
测试信号是从主器件到目标器件的单向信号、因此您可以尝试将电压除以两个电阻器。 如果这种情况不起作用、则由于速度/频率比使用 LVC1G125要高。 复位信号是双向的、因此 FET (如果足够快)可用于电平转换(http://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN10441.pdf)。 无论如何、您可以检查打开的 MSP-FET/UIF 以查看如何在那里完成。 还要检查这个...
slaa184 MSP430隔离式 FET 接口
《SLAU607 RF430FRL152HEVM 用户指南》