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[参考译文] CCS/MSP430FR5969：FRAM SRAM 写入速度。

admin
Guru**** 2071070 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR5969
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/610948/ccs-msp430fr5969-fram-sram-write-speed

器件型号：MSP430FR5969

工具/软件：Code Composer Studio

您好！  

我正在使用 MSP430FR5969器件。  

我使用 TI 提供的 FRAM 速度应用测试了 FRAM 和 SRAM 写入延迟。  

我刚刚将 FRAM_WRITE_START 地址更改为 SRAM 区域、以测量 SRAM 写入速度。  

我附图如下。  

但奇怪的是、能耗不同、但延迟几乎相同。  

我认为 FRAM 应该比 SRAM 慢大约3倍。  

(我测量了能量跟踪的延迟。 我在完成写入后进行 LED 切换、然后在完成写入时电源变为高电平)

有人知道这一结果吗？  

或者、是否有人有关于 SARM 和 FRAM 写入速度的文档？  

最棒的  

Mirae

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    TI__Guru**** 2071070 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    闪存至 RAM 或 RAM 至 RAM 的 DMA 将占用每个字2个周期(对于非 FRAM 器件、在任何 MCLK 上)、例如、如果您正在处理从闪存至 RAM 的数据、或者从输入端口至 RAM 的数据。 如果 FRAM 没有等待状态(MCLK <= 8MHz)、使用相同的 MCLK 时、周期数应相同。

    这里对此进行了说明...

    http://www.ti.com/lit/an/slaa498b/slaa498b.pdf

    如果要检查 RAM、请将 RAM 设为 RAM DMA、所有内容都应清除。

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    TI__Guru**** 2071070 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    感谢你的答复。
    我理解您的意思。
    我还有一个问题要问。
    我更改了应用程序的内存配置设置。
    例如、我更改了链接器脚本文件。

    默认设置为

    代码 >FRAM
    .data >RAM
    堆栈 >RAM

    但我将其更改为如下所示。

    代码 >FRAM
    .data >FRAM
    堆栈 >FRAM

    我知道它会因应用程序的存储器访问模式而异、
    但我认为至少执行时间应该有所不同。
    当我使用上述两种存储器设置测量应用程序的执行时间时、即使我在该应用程序中未使用 DMA、执行时间也是相同的。

    您对此有什么想法吗？

    最棒的
    Mirae
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    TI__Guru**** 2071070 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果未使用等待状态(MCLK <= 8MHz)、则执行时间应相同。