[参考译文] CCS/MSP430FR5969：FRAM SRAM 写入速度。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/610948/ccs-msp430fr5969-fram-sram-write-speed

工具/软件：Code Composer Studio

您好！  

我正在使用 MSP430FR5969器件。  

我使用 TI 提供的 FRAM 速度应用测试了 FRAM 和 SRAM 写入延迟。  

我刚刚将 FRAM_WRITE_START 地址更改为 SRAM 区域、以测量 SRAM 写入速度。  

我附图如下。  

但奇怪的是、能耗不同、但延迟几乎相同。  

我认为 FRAM 应该比 SRAM 慢大约3倍。  

(我测量了能量跟踪的延迟。 我在完成写入后进行 LED 切换、然后在完成写入时电源变为高电平)

有人知道这一结果吗？  

或者、是否有人有关于 SARM 和 FRAM 写入速度的文档？  

最棒的  

Mirae