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[参考译文] MSP430FR5869：FRAM 是否容易受到放大场的影响？

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR5869
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/649625/msp430fr5869-will-the-fram-affected-by-magnatic-field-easily

器件型号：MSP430FR5869

您好！

我向客户推荐 MSP430FR5869、因为他们需要具有高性能的 ULP MCU。

一旦他们知道存储器类型是 FRAM、他们想知道它是否容易受到放大场的影响(位状态相反)？

我们知道、FRAM 具有最佳的软错误字符、但 在放大场视图中如何？

谢谢你。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    很抱歉、我在下面找到了链接、谢谢
    www.ti.com/.../slat151.pdf
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    TI__Guru**** 2380860 points
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    感谢您将解决方案发布到您的问题。 我想借此机会公布《MSP430 FRAM 质量和可靠性报告》(SLAA526)以及《MSP430 FRAM 技术使用方法和最佳实践指南》(SLAA628)。 此外、FRAM 的纠错编码(ECC)特性可用于检测并可能校正由磁场引起的位错误。

    此致、
    Ryan