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[参考译文] 高可靠性微控制器

admin
Guru**** 2587345 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR2433, MSP430FR2633

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/648585/high-reliability-microcontroller

主题中讨论的其他器件：MSP430FR2433、 MSP430FR2633

您好！

  我们是医疗设备制造商、设计了医疗领域的产品。我们将 MSP430系列微控制器与其他制造商的微控制器进行比较、并将其与我们的设计之一进行比较。

我们对此有一些疑问

我们的要求是超低功耗微控制器。 我们已经将 MSP430FR2633、MSP430FR2433、MSP430FR2633与 STM32L431CBY6TR、STM32L011D3Px 进行了比较

FRAM 优于闪存的主要优势是什么？

我们的另一个要求是高可靠性。您能不能推荐任何具有 MSP430R 规格的高可靠性微控制器

谢谢、

Murugavel.S

  

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    TI__Guru**** 2587345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用用户="Murugavel Swaminathan "]

    FRAM 优于闪存的主要优势是什么？

    [/报价]

    FRAM 的主要优势是写入(如在 RAM 中)而不擦除。 您可以在此处阅读有关此内容的信息(我的评论)...

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/msp430blog/archive/2017/06/22/fram-or-flash-how-to-select-the-right-mcu-for-your-application

    但是、从闪存执行速度更快(与从 RAM 执行速度相同)、而在 FRAM 的较高频率上运行 CPU 需要等待状态。

  • 0
    TI__Guru**** 2587345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Murugavel、

    您有哪些特殊的高可靠性要求-高温范围？ 耐辐射性？ 还有事吗？ 您可以使用高可靠性快速搜索工具在以下位置找到归类为高可靠性的 TI 器件： www.ti.com/.../overview.html

    您还可以在以下位置找到有关 FRAM 的更多信息： http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5488738 、 www.ti.com/.../slaa526 和其他优势： www.ti.com/lit/pdf/slat151
     
    此致、
    Katie

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    TI__Guru**** 2587345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，

      我在 E2E 论坛中找到了有关 FRAM 的问题及其答案。 我对 FRAM 的关注极少。

    FRAM 的可靠性。(很少有用户会遇到 FRAM 中的存储器丢失、并且他们的数据可能在高结温下损坏)

    2.我想将 FRAM 与闪存的结果与以下参数进行比较

    I)数据保护

    ㈡耐力

    (iii) EM 波的影响  

    ㈣可靠性

    V)读取、写入速度

    谢谢、

    Murugavel.S

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    TI__Guru**** 2587345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用用户="Murugavel Swaminathan "]

    I)数据保护

    [/报价]

    存储器中有 JTAG 保险丝位置、JTAG 访问可永久断开或仅通过密码启用。 一般而言、在闪存5xx/6xx 和 FRAM 系列上、它大致相同。 但是、FRAM 是较新的系列、TI 实现了一些闪存系列中不存在的功能。 例如、(某些)带砖型的 FRAM 器件(具有锁定的 JTAG 访问)可以恢复出厂状态、通过邮箱/引导代码执行批量擦除。

    [引用用户="Murugavel Swaminathan "]

    V)读取、写入速度

    [/报价]

    如果我们讨论的是平均编程器、FRAM 会比较先进、因为它在写入前无需预擦除、写入/读取与 RAM 完全一样。 但5xx/6xx 闪存系列具有快速写入速度、并且启用了智能位(TI 数据表未涵盖)、从 RAM 执行的块写入速度可超过250KB/s TI 对写入/读取 MSP430闪存与 FRAM 进行的所有比较都是严格的商业性质。

    BTW、没有带 USB 模块的 FRAM 器件、并且存在等待状态(必须将代码复制到 RAM 以实现全速执行)。

       

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    TI__Guru**** 2587345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Murugavel、

    我合并了主题帖、因为似乎您仍然对同一主题有一些疑问。 希望这些链接会有所帮助：

    1)数据保护：请参阅应用手册 MSP 代码保护功能、具体包括 JTAG 锁定、MPU 和 IP 封装： www.ti.com/.../slaa685

    2)耐久性：根据我们的数据表耐久性规格、读写周期大于10^15 (大多数闪存只有10000个写周期) www.ti.com/.../msp430fr5969

    3) EM 波的影响： www.ti.com/.../slat151 解决了这一问题。 FRAM 不受磁场的影响、第2页还介绍了如何承受电场和辐射。 但是、请注意、即使 FRAM 本身具有抗辐射特性、器件中仍有可能受到影响的 CMOS 逻辑(闪存器件也是如此)。 如果这成为一个问题、您可能需要与 HiRel 团队 联系 www.ti.com/.../overview.html

    4) FRAM 可靠性： ieeexplore.ieee.org/.../stamp.jsp 和 www.ti.com/.../slaa526

    5)读取、写入速度：从我们的数据表中、两者都是最大8MHz。 www.ti.com/.../msp430fr5969 对于8MHz 以上的 CPU 速度、缓存机制用于帮助缓解等待状态的需求、以实现超过8MHz 的代码执行速度。

    此致、
    Katie