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[参考译文] MSP430G2744:NOR 闪存中的栅极干扰

Guru**** 2595805 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/647868/msp430g2744-gate-disturb-in-nor-flash

器件型号:MSP430G2744

我发现有时 NOR 闪存都不会受到栅极干扰的影响、也就是说、在对某个位进行编程时、相邻的位也可能会被意外编程。

到目前为止、我还没有在 G2744中看到过这种情况。 但是否有这样的可能性?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    微控制器中的闪存采用大单元设计、因此即使没有 ECC 或其他纠错机制、它也足够强大。

    了解 MSP430闪存数据保持》(SLAA392)指出:

    免打扰

    在程序运行期间、高电平域不仅放置在正在被编程的位上、而且放置在同一字线和/或位线的其他位上。 如果电介质或基板中存在缺陷、则可能会创建泄漏路径、因此可以观察到非选定位的意外编程。 为了解决这种缺陷机制、测试程序中安装了高压屏幕、以消除总体中的此类器件。