[参考译文] MSP430F6745：我对如何使用 COMP_B 有疑问

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/733379/msp430f6745-i-have-a-question-about-how-to-use-comp_b

器件型号：MSP430F6745
主题中讨论的其他器件： MSP430WARE

您好！

我对 MSP430F6745的以下参数有疑问。
"ten_cmP"比较器启用时间"

问题1.

旧数据表(slas768D)的最大值为50μs μ V、在新数据表(slas768E)中、该值已更改为100μs μ V、
为什么更改了它？

问题2.

打开 COMP_B 时、有时会等待 tSETABLE 或更高的时间、但 tSETTTLE 是否相关？

上一个主题
e2e.ti.com/.../660629

此致、
da

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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尊敬的 Da：

问题1：您是否看到应用的启用时间为100us 有任何限制？
Q2：我在数据表中看不到任何 tSETLE、您在哪里找到了此规格？

此致
Lukas

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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尊敬的 Da：

感谢您的提问。
Q1：根据测试过程中的结果进行了更新。
Q2：使用 tSETLE、您指的是电压基准的稳定时间、对吧？如果您使用比较器的共享基准、稳定时间将对比较器产生影响。有关详细信息、请参阅用户指南的第32.2.6节。

请告诉我这是否有帮助、或者您是否有更多问题(尤其是在我对您的问题2的理解上)。
此致、
Britta

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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感谢您的回答。

μs 在大规模生产的器件上使用 COMP_B、但延迟时间小于100 μ s。

由于电压基准是在打开 COMP_B 时使用的、因此它是指数据表 P60中的 tSETTLE。

此致、
da

0 admin 7 年多前

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感谢您的回答。

在新的 μs 表中、最大值已从50us 更改为100k Ω。您知道条件是最大值吗？
在上一个主题中、有一个回复说、在低温下稳定时间会很长。

感谢您的回答。

tSETTLE 是电压基准的参数。

当 MSP 430批量生产程序的 COMP_B 被打开时、延迟时间的延长是一个问题。
μs 430ware 的 COMP_B 示例程序的延迟时间为75 μ s。 (程序中的注释：//延迟参考以解决)
程序是参照此程序创建的。
如果是这个延迟时间、我想知道发生 COMP_B 操作问题的频率。

此致、
da

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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尊敬的 Da：

遗憾的是、我不知道在什么条件下可能发生最大值。由于数据表具有约束力、这包括我们生产和销售的所有器件、然后包括差异(其中最大100us)。

很抱歉、但我不确定我是否理解您的另一个问题。器件数据表中也写入了75us 稳定时间、正如您之前的线程中所示。我知道您使用 MSP430Ware 中的代码片段是可以接受的。您能否解释一下您的最后一个问题是关于什么？

谢谢、此致、
Britta

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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谢谢您的回复。

在当前程序中、初始化 COMP_B 时提供了大约83us 的延迟时间。
当数据表的 COMP_B 允许时、它不符合最大延迟时间。

作为一种解决方案、它是固件更新、但无法完成
因为有许多目标数字。
有必要得出结论、即使在当前延迟时间内也不会出现问题。

我们正在考虑以下问题。

比较当前器件的使用条件与条件(温度和电压趋势等)
100 μ s 的 μs、并说明没有出现任何问题。

我们将在手册中参阅 tSETTTLE (75US)、因此我们将解释这不是
因为它完全满意。

此致、
da

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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尊敬的 Da：

我不确定我是否完全理解了您的其余问题。
您能否向我解释您的侧仍不清楚的内容或您需要进一步帮助的地方？

谢谢、此致、
Britta

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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你(们)好，Britta

最近更新了数据表(SLAS768D -> SLAS768E)。
因此、ten_COMP 的值已从50μs μ V 更改为100μs μ V。
已对客户进行编程以满足旧的 ten_COMP 值。
通过此更改、可能会由于 COMP_B 而出现问题

他们正在寻找资料来判断是否有必要应付。
他们希望知道问题在多大程度上发生、
以及结果中出现问题的条件。

当前 COMP_B 的延迟如下。
在四个周期之后获取 COMP_B 的内容？

CBCTL1 |= CBON； BIS.w #0x400、&CBCTL1 (D0B2 0400 08C2)
asm ("NOP")； NOP (4303)
asm ("NOP")； NOP (4303)
asm ("NOP")； NOP (4303)
RD_cbout =(CBCTL1和 CBOUT)； MOV.w &CBCTL1、R15 (421F 08C2)

此致、
da

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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尊敬的 Da：

如果您没有有关申请的详细信息、我将无法为您提供明确的答案。

主要内容包括：

－如何在应用程序中使用比较器？它的正确功能有多重要？

－如果比较器未能提供正确的结果(如果尚未启用)，会发生什么情况？您是否包括检查错误结果？或者、否则、这会不会被注意到吗？

我需要强调的是、我只能保证数据表中提供的值、即100us。正如您在决定将值从50us 更新到100us 之前所假设的、这是基于我们在低温范围内测试的行为。尽管如此、数据表中100us 的启用时间值是我们指定并保证的最大启用时间。

关于您的问题：

[引用 user="da"]他们正在寻找信息来判断是否需要应对。

如上述问题所述，如果没有关于执行情况的详细资料，我就无法作出判断。

如果这不是应在论坛中公开共享的信息、我建议最好的方法是与 TI 销售团队合作并将此主题脱机。

请告诉我您更喜欢哪种方法来进一步了解解决方案。

谢谢、此致、

Britta

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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我将整理内容。

μs COMP_B 现在使用内部基准、它会生成延迟时间为75 μ s 或更多的代码。
COMP_B 的 μs μs 从50 μ s 更改为100 μ s、10的时序无法满足。
因此、可能会出现问题。

验证当前代码是否会导致此问题。
在低功耗下使用 COMP_B 的代码如下。

  CBCTL1 |= CBON；            ・・・bis.w #0x400、&CBCTL1 (D0B2 0400 08C2)
asm ("NOP")；                 ・・・          (4303)
asm ("NOP")；                 ・・・          (4303)
asm ("NOP")；                 ・・・          (4303)
RD_cbout =(CBCTL1和 CBOUT)；・・・mov.w &CBCTL1、R15  (421F 08C2)

由于它使用低功耗、因此内部 REFO 用作时钟。

由于自打开 COMP_B 以来使用了三条 NOP 指令、
延迟最短为88.5us、因此小于100us。

但是、读取 COMP_B 寄存器的指令是一个2周期指令。
据认为、读取寄存器的值实际上增加了一个周期、增加了118 us。

在这个指令序列的情况下、是否可以考虑这个解释
读取的周期数是开启后的四个周期？

如果可能、如果您还告诉我们电压和温度条件、这将很有帮助
100 μs。 (当温度较低时、接近100 μs 等)

此致、
da

0 admin 7 年多前

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您好、 Britta、

当前、COMP_B 用于比较内部基准和外部输入。
在低功耗模式下、REFO 与以下代码进行比较。

源拆卸存储器映像

CBCTL1 |= CBON；              BIS.w #0x400、&CBCTL1  (D0B2 0400 08C2)  3周期
asm ("NOP")；                   NOP                   (4303)             1个周期
asm ("NOP")；                   NOP                   (4303)
asm ("NOP")；                   NOP                   (4303)
RD_cbout =(CBCTL1和 CBOUT)；  mov.w &CBCTL1、R15   (421F 08C2)        2个周期

由于自打开 COMP_B 以来使用了三条 NOP 指令、
延迟最短为88.5us、因此小于100us。

但是、读取 COMP_B 寄存器的指令是一个2周期指令。
如果读取时序是指令的后半部分、则添加一个周期作为延迟时间。
μs 1个周期后、它变为117.9us、因此它是 ten_cmp 的100 μ s 或更多。

在这个指令序列的情况下、是否可以认为的解释
要读取的周期数是开启后的四个周期？

如果可能、如果您还告诉我们的电压和温度条件、这将很有帮助
器件为100 μs。 (当温度较低时、接近100 μs 等)

此致、
da

0 admin 7 年多前

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尊敬的 da：

非常感谢详细的描述、这对我非常有帮助。
我的建议是、最好使用一个额外的 NOP、以便在 COMP_B ON 和 COMP_B 读取之间增加更多时间。我知道、您上面显示的计算会计算出117.9us 的延迟时间、应将其保存下来。由于 MSP430包括管线式 CPU、但很难确定何时会发生位设置操作和位读取操作、因为在此期间可以提取其他指令。因此、我建议增加延迟时间、例如增加一个 NOP、以便在我们的应用允许的情况下处于安全侧。

请告诉我、这是否适合您。
很抱歉、我无法披露 Comp_B t_EN 为100us 的条件、因为我们的测试和特性数据是机密的。

此致、
Britta

0 admin 7 年多前

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尊敬的 da：

请注意、我将在回答主要问题时关闭此主题。
如果需要、我们仍然可以通过离线渠道跟进其他待处理的问题。

此致、
Britta

MSP 低功耗微控制器（参考译文帖）

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[参考译文] MSP430F6745：我对如何使用 COMP_B 有疑问