你好!
根据数据表、VCORE 容量为470nF -到目前为止还不错。 建议的 VCC-Capacity 为10xC_VCORE、即4.7uF。
如果 VCC 为2.4V、并且 MCU 从 LPM3的24MHz 频率启动、则显然需要较大的 VCC 容量来避免 BOR。
但是、对于3V 电源、最坏的情况如下:VCORE=0变为 VCORE=1.9V (立即);VCC=3.0V。 然后必须满足不等式(470nF*1.9V + C_VDD*2.4V < C*3.0V),即 C_VDD>1.5uF -这种计算甚至超过了最坏的情况,因为在我的应用中,VCORE 从未达到零,因为我不使用 LPMx.5。
因此、一个3.3uF 的电容器应该足以用于系统、我对吗?
值得注意的是、对于3.0V (偏置!)时的4.7uF 容量 我需要在0603封装中使用一个额定电容为6.8uF 的电容器-只有 TDK 提供这样的值、所有其他电容生成器的电容最终值为4.7uF (这意味着在3V 时大约为3µF μ F)。 由于只有 TDK 提供该值、因此我必须假设这是当前可能的生产技术的最末尾。
提出这个问题的主要原因是、我的电路设计的尺寸有限、我想使用高可靠性电容器。