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[参考译文] MSP430FR6989:测量测试终端的静电噪声

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR6989, MSP430FR6879, MSP430F5329

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/750795/msp430fr6989-measures-against-electrostatic-noise-at-test-terminal

器件型号:MSP430FR6989
主题中讨论的其他器件: MSP430FR6879MSP430F5329

我的客户正在使用 MSP430FR6989开发产品。
在对客户电路板的测试端子模式施加静态电噪声的情况下进行测试时、MSP430的电流消耗似乎会增加。


客户的电路板暴露在机柜外部、人体可能接触到电路板主体。


当静态电噪声被施加到 MSP430的"测试"端子时、出现了电流消耗暂时增加电流消耗的现象。
接触放电应用的电压似乎为2.5kV。
※增加约220uA、不通过外部复位(通过 RST 引脚进行外部复位)返回正常值、通过再次打开电源返回正常值


我已经将"MSP430系统级 ESD 注意事项"通知了我的客户。


我认为我的客户测试方法违反了数据表中的绝对最大额定值和 ESD 额定值。 我的思维方式是否正确?

2.在客户系统外露的电路板状态下使用 JTAG 功能时、是否有保护静态电的方法?
如果是,对策是什么?

3.如果您不使用 JTAG 功能并在测试终端上安装静态电抗措施,是否有推荐的 ESD 保护 IC?

4.如果是 BSL (UART)、我认为固件更新不使用测试终端是可能的、它是否正确?
(它构建程序计数器以使用应用软件读取 BSL 地址。)

请告诉我。
此致。
Cruijff

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    您好、Cruijff、

    感谢您的详细博文。 MSP430的 HBM ESD 等级为+/-1000V。 客户的 ESD 测试似乎超过了此额定值。 这将导致器件出现意外行为并需要系统级 ESD 保护。 我将与团队讨论此问题、并在本周结束前提供进一步反馈。

    B.R

    冬季  

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    您好、冬季、

    感谢您回答我的问题。

    我收到了客户的以下问题。
    您是否还会对此进行调查?

    此 ESD 噪声问题是否具有 MSP430系列中消耗电流持续增加的类型以及不增加的类型?

    客户更换了同一电路板上器件的 MSP430并进行了验证。
    因此、电流消耗增加了以下值。

    • MSP430FR6879 (FRAM 类型)···电流增加220uA
    • MSP430FR6989 (FRAM···μA)电流增加220 μ A
    • 电···流增加220uA 后、MSP430F5329 (闪存类型)在1 ~ 3秒内恢复正常值

    如果它是闪存类型、它似乎恢复正常。
    FRAM 或闪存中是否存在相关性?

    我觉得我的客户认为 FRAM 的抗噪性较弱。
    请告诉我可以消除这种想法的想法。

    我正在等待您的团队成员的反馈。
    此致。
    Cruijff

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    您好、Cruijff、

    我认为我的客户测试方法违反了数据表中的绝对最大额定值和 ESD 额定值。 我的思维方式是否正确?

    是的、你是对的。 测试违反了数据表中的 ESD 额定值。 这可能会导致器件意外损坏或故障、包括泄漏电流增加、器件死锁状态。 死锁状态可能导致器件保持在激活模式、这也会增加功耗。

    有关 更多详细信息、请参阅 MSP430系统级 ESD 注意事项。  


    2.在客户系统外露的电路板状态下使用 JTAG 功能时、是否有保护静态电的方法?

    如果是,对策是什么?

    为了保护器件免受 ESD 的影响、我们提供了 ESD 保护 IC、TVS。 另请参阅上述应用手册。

    3.如果您不使用 JTAG 功能并在测试终端上安装静态电抗措施,是否有推荐的 ESD 保护 IC?

    您需要根据 TI  ESD 保护和 TVS 浪涌二极管 产品系列中的系统级 ESD 要求选择 ESD 保护 IC。   

    4.如果是 BSL (UART)、我认为固件更新不使用测试终端是可能的、它是否正确?

    (它构建程序计数器以使用应用软件读取 BSL 地址。)

    是的、正确。 对于基于 FRAM 的 BSL、 进入序列可由用户定义的 IO 实现。 请参阅 《MSP430 FRAM 器件引导加载程序(BSL)用户指南》(修订版 P)

    B.R

    冬季

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    您好、Cruijff、

    如上所述、ESD 故障复杂且意外、消耗电流增加只是可能的结果之一、可以是连续的或瞬态的。 它也受软件的影响。
    我想我们无法得出结论、FRAM 在使用少量样本进行客户测试时具有较弱的抗噪性能。 器件在超出规格条件下的性能不是客户应考虑和投入系统设计的因素。 此外、电流消耗恢复正常值并不意味着器件恢复正常、ESD 可能会导致潜在的损坏。
    Fash 或 FRAM 存储器不是 ESD 故障时增加电流消耗的根本原因。

    B.R
    冬季
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    您好、冬季、

    感谢您的检查。

    我会告诉客户他们违反了 ESD 等级。
    而且,我会告诉客户,FRAM 和闪存之间不存在差异。

    万分感谢。

    Cruijff