您好!
我有几个具有较高误差下的片上30C 校准的 MSP430FR2032。 存储在地址1A1Ah 和1A1Bh 中的数据相对大于正常单元、导致温度读数在实际温度应为30C 时变为23C、我想知道我们是否可以重新校准它并将数据覆盖到 1A1Ah 和1A1Bh 中?
此致
单长整型
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您好!
我有几个具有较高误差下的片上30C 校准的 MSP430FR2032。 存储在地址1A1Ah 和1A1Bh 中的数据相对大于正常单元、导致温度读数在实际温度应为30C 时变为23C、我想知道我们是否可以重新校准它并将数据覆盖到 1A1Ah 和1A1Bh 中?
此致
单长整型
您好、Dietmar、
我们报告了7个器件、其温度读数要低得多、我们知道这是正确的。 生产通过器件进行检查、并与优秀器件进行了比较:
| 良好器件的 ADC 数据: | |
| 在30C 下测量 | 667 |
| Cal30 | 6666 |
| Cal85. | 791. |
| 计算出的温度 | 30.44 |
| 不良器件的 ADC 数据: | |
| 在30C 下测量 | 665 |
| Cal30 | 677 |
| Cal85. | 796 |
| 计算出的温度 | 24.45378151 |
不良器件30C 校准数据为677d、这使得实际30C 计算值降低了5C。 我想找出正确的7个器件的 Cal30寄存器、而不是丢弃、它没有任何问题、可能只是校准错误。
此致
单长整型
您好、Monglong、
感谢您提供详细的结果。 实际上、它看起来好像没有完全校准的校准数据。
是否可以将7个故障器件的完整内存转储发送给我们。 基于此、我们可以识别生产批次并检查生产测试数据。
如前所述、在器件离开生产后、无法更改引导数据或 TLV 部分中的数据。
我唯一能提出的建议是将其存储在 FRAM 中的其他位置、并使用此备用校准值而不是因数数据、但这是以前提出的。
此致、
Dietmar
您好、Dietmar、
现在、我们总共有13个具有相同问题的器件、我认为对于最近制造的器件、这个问题正在增加。 所有这些单元的器件校准数据大致相同、30 drgre C 校准数据过高。
我是否可以知道在晶圆级或包装后进行了30度 C 校准? TI 工厂的校准过程是否存在问题? 我们开始跟踪 MSP430的数据编码、可能存在与数据编码相关的问题? 我们预计会出现+/-3C 误差、但我们会得到更多误差。
MSP430数据表中的脚注附带如下内容:
(1)温度传感器失调电压可能会显著变化。 TI 建议进行单点校准、以最大程度地减小内置器件的偏移误差
温度传感器。
问题:如果 TI 执行了30C 和85C 校准、是否需要执行此操作? 单点校准的实际工作原理和作用是什么?
此致
单长整型