[参考译文] MSP430F5437A：一些填充了3fff 的 RAM 位置

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/934171/msp430f5437a-some-of-the-ram-locations-filled-with-3fff

器件型号：MSP430F5437A

您好！

我将 MSP430F5437A 用于其中一个项目。我观察到一些 RAM 存储器位置填充了"3fff"。用"3fff"填充的示例 RAM 地址0x00000184。用于 SYSBSLC (SFR)的地址0x00000182和用于 SYSJMBC 的地址0x00000186。

如果未使用0x00000184、则应填充 FFFF (16位数据)、而不应填充3fff。我的理解是否正确？如果是、请告诉我未使用的 RAM 位置的原因、填充"3fff"

谢谢、

古拉夫

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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您好、Gourav、

这应该与 CPU 指令库相关、所以在未定义的 RAM 区域中、它将被初始化为0x3fff。

此致

Johnson

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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感谢 Johnson 的快速回复。实际上、我们在 RAM 地址0x00001CCC 处存储了一个全局变量。我们在项目中使用相同的变量进行计算。有时它会被"3fff"填满、导致项目计算错误。

我们将研究代码中可能存在的损坏情况、并使用填充"3FFF"的 RAM 地址位置

谢谢、

古拉夫

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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您好、Gourav、

您能否就您的问题提供一些评价？ "有时它会被"3fff"填满、导致项目计算错误。"

此致

Johnson

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 Johnson：

在我的项目收集中、ADC 每521微秒计算一次来自 ADC12MEM0、ADC12MEM1和 ADC12MEM2的样本并根据我们保留的阈值条件在其中选择一个作为最佳样本。为了获得该最佳样本、计算方波电流(以安培为单位)、并对32个样本(处理一个周期)和周期结束执行相同的操作、计算所有32个样本的均方波、并使用一个全局变量存储在1CCC RAM 位置。

我们观察到、有时保存3FFF 的全局变量实际上不可能。我们在固件中进行了仿真、以验证所有32个样本结果3FFF 是否均方根。如果所有 ADC 样本(32个样本)都用4F3F 填充、则3FFF 有示波器、但我们使用的是12位 ADC、并且最大可能的 ADC12MEM 寄存器应为 FFF (4095)。

谢谢、

古拉夫

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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您好、Gourav、

很抱歉、我无法清楚地理解您遇到的问题。
您似乎只使用 ADC 模块捕获一些数据、然后进行计算、因此我认为可以在调试模式下观察此过程中的任何变量。

您是否观察到一些参数是错误的？

此致

Johnson

MSP 低功耗微控制器（参考译文帖）

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[参考译文] MSP430F5437A：一些填充了3fff 的 RAM 位置