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[参考译文] MSP430F5437A：一些填充了3fff 的 RAM 位置

admin
Guru**** 2769425 points

Other Parts Discussed in Thread: MSP430F5437A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/934171/msp430f5437a-some-of-the-ram-locations-filled-with-3fff

器件型号：MSP430F5437A

您好！

我将 MSP430F5437A 用于其中一个项目。 我观察到一些 RAM 存储器位置填充了"3fff"。 用"3fff"填充的示例 RAM 地址0x00000184。 用于 SYSBSLC (SFR)的地址0x00000182和用于 SYSJMBC 的地址0x00000186。

如果未使用0x00000184、则应填充 FFFF (16位数据)、而不应填充3fff。 我的理解是否正确？ 如果是、请告诉我未使用的 RAM 位置的原因、填充"3fff"

谢谢、

古拉夫

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    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gourav、

    这应该与 CPU 指令库相关、所以在未定义的 RAM 区域中、它将被初始化为0x3fff。

    此致

    Johnson

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    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 Johnson 的快速回复。 实际上、我们在 RAM 地址0x00001CCC 处存储了一个全局变量。 我们在项目中使用相同的变量进行计算。 有时它会被"3fff"填满、导致项目计算错误。

    我们将研究代码中可能存在的损坏情况、并使用填充"3FFF"的 RAM 地址位置

    谢谢、

    古拉夫   

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    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gourav、

    您能否就您的问题提供一些评价？  "有时它会被"3fff"填满、导致项目计算错误。"

     

    此致

    Johnson

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    TI__Guru**** 2769425 points
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    尊敬的 Johnson：

    在我的项目收集中、ADC 每521微秒计算一次来自 ADC12MEM0、ADC12MEM1和 ADC12MEM2的样本 并根据我们保留的阈值条件在其中选择一个作为最佳样本。 为了获得该最佳样本、计算方波电流(以安培为单位)、并对32个样本(处理一个周期)和周期结束执行相同的操作、计算所有32个样本的均方波、并使用一个全局变量存储在1CCC RAM 位置。

    我们观察到、有时保存3FFF 的全局变量实际上不可能。 我们在固件中进行了仿真、以验证所有32个样本结果3FFF 是否均方根。 如果所有 ADC 样本(32个样本)都用4F3F 填充、则3FFF 有示波器、但我们使用的是12位 ADC、并且最大可能的 ADC12MEM 寄存器应为 FFF (4095)。

    谢谢、

    古拉夫   

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    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gourav、

    很抱歉、我无法清楚地理解您遇到的问题。
    您似乎只使用 ADC 模块捕获一些数据、然后进行计算、因此我认为可以在调试模式下观察此过程中的任何变量。

    您是否观察到一些参数是错误的？

    此致

    Johnson