[参考译文] MSP430F2132：MSP430F2132控制器写入问题

您好、Mandy、  

在进行电气性能测试时、您是否擦除了段 B 和段 C 中的代码？ 您能否分享代码如何访问段 D？  

在用户指南中、 A 至 D 段可以单独擦除、也可以作为具有0至 n 段的组擦除。只需确认您没有作为组擦除它们。  

谢谢、  

Lixin  

您好、Lixin、

在进行电气性能测试时、我们只进行写闪存 wirte 和擦除段 D、而没有对其他段执行任何操作。

仅在软件内完成的擦除会执行段、不会作为一个组擦除它们。 段 B、C 和 D 中的代码写入与下面图片中共享的代码相同、即写入闪存中的子程序。

您好、 Mandy、  

 FSSEL_1 = 0x0040。 这意味着选择的是 MCLK 而不是 SMCLK。 请仔细检查您的时钟设置是否在闪存速度规格内。  

2.在勘误表中、FLASH24提到如果闪存写入或擦除突然终止、可能会发生错误的代码执行。 您能否检查闪存操作是否存在任何时钟问题？  

3.您可以检查的另一件事是：闪存操作期间是否存在压降。 请确保 MCU VCC 具有足够的去耦电容器。

一个问题、这个问题能否可靠地重现？ 如果此问题仅发生一次且不容易重现、则应由异常时钟停止或压降引起。  

谢谢、

Lixin  

您好、Lixin、

1.如果时钟设置异常、导致 他在闪存读取和重写过程中异常操作、这是否会导致闪存中的完整内容被擦除或只更改某些部分？

2.压降会导致闪存异常？ 如何解释？ 是导致软件运行并重新写入闪存、还是电源故障会直接影响闪存？

在什么情况下、闪存数据存储器将在多个连续段中被擦除、而主存储器(存储代码的位置)不受影响？

以下是软件编写代码：

您好、Mandy、  

[引用 user="Mandy Ke">1. 如果时钟设置异常、导致 他在闪存读取和重写中异常操作、这是否会导致擦除闪存中的完整内容或仅更改部分？

如果时钟速度超出闪存操作的规格、则会出现意外行为。 根据数据表、fFTG (闪存时序发生器频率)应在257kHz ~ 476kHz 范围内。  

[引用 user="Mandy Ke">2. 压降会导致闪存异常？ 如何解释？ 是导致软件运行并重新写入闪存、还是电源故障会直接影响闪存？

同样、超出规格会导致意外行为。 根据数据表、在闪存存储器编程期间、Vcc 应该为2.2V ~ 3.6V。 如果压降导致代码区域的闪存编程错误、代码将异常运行：任何情况都可能发生、可能跳转到意外代码并使用意外数据写入闪存或擦除闪存。  

Mandy Ke 说：

3.在什么情况下，闪存数据存储器将在多个连续段中被擦除，而主存储器(存储代码的位置)不受影响？

您是否有用于擦除连续段的代码？ 对于您的情况、您是否有用于擦除扇区 B 和扇区 C 的代码？  

谢谢、  

Lixin  

您好、Lixin、

我们的最后两个问题：

 微控制器不在闪存上运行时、压降或时钟异常是否会影响闪存？

2. 在这种软件设计的前提下，闪存数据存储区的 B 段和 C 段将被擦除但同时主存储区不受影响的可能性有多大？  我们可以消除软件在这种情况下失控的可能性、对吧？ 在我们了解到失控最多只会影响存储区域的一个部分的情况下，不会同时影响两个部分？

谢谢、

曼迪

您好、Mandy、  

[引用 user="Mandy Ke">1.  微控制器不在闪存上运行时、压降或时钟异常是否会影响闪存？[/QUERP]

是的。 即使 MCU 未闪烁、压降或时钟异常也会导致意外问题。 代码可能会跳转到意外区域、从而导致意外的闪存操作。  

[引用 user="Mandy Ke">2.  在这种软件设计的前提下、闪存数据存储区域的段 B 和 C 将被擦除但同时主存储区域不受影响的可能性有多大？  我们可以消除软件在这种情况下失控的可能性、对吧？ 根据我们的理解，失控最多只会影响存储区域的一个部分，不会同时影响两个部分？

与我上面的问题相同： 您是否有代码擦除扇区 B 和扇区 C、以及您是否能够可靠地重现问题？

如果您能够可靠地重现问题、则可以尝试删除扇区 B 和扇区 C 的操作代码、并查看问题是否已解决。  

在软件工程理论中、有许多方法可以提高软件稳健性、包括错误处理。 但基本的是保证硬件没有问题、并且没有违反规范的行为。  

谢谢、  

Lixin