大家好、
我的客户对我们用于新的三相智能电表项目的器件有两个问题、如果您能提供支持、我将非常高兴:
"
1 -内部 EEPROM (为了在断电时缩短重要数据的时间)
2-在执行代码时写入闪存。(在仪表功能运行时刷写新程序,并在特定时间切换到新下载的程序)
"
请在此处提供帮助?
提前感谢
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我的客户对我们用于新的三相智能电表项目的器件有两个问题、如果您能提供支持、我将非常高兴:
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1 -内部 EEPROM (为了在断电时缩短重要数据的时间)
2-在执行代码时写入闪存。(在仪表功能运行时刷写新程序,并在特定时间切换到新下载的程序)
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您好!
[引用 user="Furkan Sefiloglu ]1-内部 EEPROM (用于在断电时缩短重要数据的时间)[/quot]
在发生电源故障时、您可以使用内部闪存定期备份数据、但擦除次数有限。 您可能希望使用内存磨损矫正算法。
您还可以使用 ADC 或 SVS 在电源下降时触发备份。 外部选项是使用另一个 MSP430 FRAM 器件、因为与闪存相比、写入次数更高、因此它们可用于代替 EEPROM。
使用低内存 MSP430FRAM MCU 的 EEPROM 仿真
《使用 MSP430 FRAM 微控制器进行 EEPROM 仿真和感应》
[引用 user="Furkan Sefiloglu ]2-在执行代码时写入闪存。(在仪表功能运行时刷写新程序并在特定时间切换到新下载的程序)
您可以写入闪存、但您可能需要禁用中断以确保它不会被中断。 如果您是指现场固件更新、则可能需要考虑使用 BSL。
此致、
James