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[参考译文] MSP430F1612:信息存储器段损坏问题

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F1612

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1262396/msp430f1612-information-memory-segments-corrupting-issue

器件型号:MSP430F1612

我们在产品中使用了 MSP430F1612处理器。 我们正在使用地址0x1000至0x103F 来存储器件信息。 该闪存在写入闪存时会损坏某些单元(有时启动时或在将信息保存到闪存后)、导致我们的器件上显示不正确的结果。 最后一次编译该映像是在2016年。 该问题最近才开始成为1/40器件上发生故障的问题。

这是一个已知问题吗? 对芯片是否进行了任何硬件更改? 欢迎提出任何建议。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dawid:

    这不是一个已知问题、十年来我一直没有注意这款器件的硬件更改。

    根据我的经验、像这样的闪存损坏有两个来源:与电压相关的噪声/违例或软件错误。  由于您的代码已经投入生产这么长时间、我怀疑这个问题现在是否出现了。

    编程过程中是否会出现此问题?  这个设置有什么变化吗?  

    在编程期间及之后、什么向 MCU 提供电压?   我看到该器件具有内置 SVS、您在使用它吗?   

    应用软件中是否进行过闪存写入?     

    我认为导致闪存损坏的最常见规格违反与 VCC 与 MCLK 速度或闪存写入电平有关:

    谢谢。

    JD