您好！
我正在探索 EVM430-FR6043参考设计、想在我自己的设计中复制 MCU 和模拟部件。
在研究参考设计晶体振荡器时、我注意到 HFXT (指示符 Y1)和 USSXT (指示符 Y3)的负载电容器的大小与我假设的不同。 我想了解为什么要选择这些振荡器和负载电容器组合、以确保不会遗漏关键因素。
1) USSXTAL
在该参考设计中、USSXTAL 有两个选项：AWSCR-8.00CV-T (指示符 Y3)和 ABLS-8.000MHZ-B4-T (指示符 Y4)、其中负载电容器(指示符 C11和 C12)就位。 在我的 EVM430-FR6043评估板上、我可以看到选择了 Y3与负载电容器一同组装。
我的第一个问题是、为什么会这样？ AWSCR-8.00CV-T 似乎已集成了电容器、因此为何要组装 C11和 C12？ AWSCR-8.00CV-T (Y3)的电容为22pF、而可选 ABLS-8.000MHZ-B4-T (Y4)的电容为18pF。 我的预期是、只有在安装了 Y4而不是 Y3的情况下才会需要 C11和 C12。
2) HFXtal
HFXTAL 是 ABM3-8.000MHZ-D2Y-T (指示符 Y1)、负载电容为18pF。 连同其一起、还有两个负载电容器 C15和 C16、均为12pF。 我的经验法则是调整满足 Cx = 2 x (Cload - Cstray)条件的电容器的大小、其中 Cx 是外部负载电容器、Cload 是晶体振荡器的负载电容、Cstray 是杂散电容。 我假设 Cstray 大约为3pF - 5pF。 但是、这样计算负载电容会得到2 x (18pF - 5pF)= 26pF 至30 pF (取决于假定的杂散电容)。 这两种电容当然都偏离了 EVM430-FR6043开发板中使用的12pF。 为什么选择晶体振荡器和负载电容器的组合？
感谢您的深入理解。
