主题中讨论的其他器件:EVM430-FR6043、 EVM430-FR6047、MSP430FR6043
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阿夫拉汉姆
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阿夫拉汉姆
您好、Avraham、
我错误地告诉您将其发送到该列表。 将来应咨询您的 TI 销售代表进行原理图审阅。
但是、我仍会给您留下一些备注、因为我的错误不会给您带来不便。
我看到您突出显示了 UART TXD 和 RXD。 这些看起来是正确的、并且看起来它们也被正确地连接到了 JTAG 接头。 我还看到您突出显示了连接到 JTAG 接头的引脚2和4的电阻器。 在我们的参考设计中、它们没有零欧姆电阻器、但这些不会引起问题。 我注意到的一点是、在您想要手动复位器件时、没有按钮或任何东西可将复位信号拉低。 您还需要在默认情况下将其拉至高电平、而不是将其保持悬空、这样您就不会遇到器件错误复位。 您可以在数据表的表7-4中找到有关正确设置的说明、或者可以考虑参考设计中的设置。 您的晶体都看起来不错。 我看到连接到 CH0和 CH1的无源器件在 IN 和 OUT 上表现良好、但我没有看到模拟前端连接。 我假设您是自己处理此问题的、但如果您确实对此有疑问、我建议您查看参考设计。 进一步看、连接到 AFE 的许多信号(TxPwr、RxPwr 等)都是如此。 大多数旁路电容器和去耦电容器看起来都不错、但我看到您选择了放置电阻器、而不是具有 R204、R205和 R206的电感器。 您使用的电容器也与我们在数据表10.1.1节中的建议值略有不同。 最后、由您决定能为您提供最佳结果的硬件、但是您应该意识到这些硬件与我们在数据表中推荐的硬件不同。
总的来说、这看起来不错。 如有其他问题、我建议您通过 此链接访问我们的参考设计、如果您有疑问、可在此处的 E2E 上发布一个主题。 另外、请记住、由您来执行原理图的最终评估。
您好
感谢您的半满输入。
我可以看到 EVM 和数据表之间存在一些差异。
1:AFE 信号:
在 EVM430-FR6043中、我可以在中的 CH0上看到一个模拟比较器、在中的 CH0_OUT、CH1_OUT、CH1_IN 上看到1M 到 GND。
参考设计
数据表中的图10-6
我已将这些信号连接到数据表和 EVM430-FR6047、您觉得我们的植入装置有问题吗?
2:PVCC 去耦电容器
中 添加了网状网络连接、PVCC 通过22 Ω 电阻进行连接、去耦电容分别为22u 和1nF。
在两个 EVM 上、我可以看到、不是22欧姆的
你的建议是什么?
3:HFXOUT 晶体
在 EVM430-FR6047中、晶体似乎没有连接。
在 EVM430-FR6043中、它进行连接。
我需要组装这个晶体吗?
4: HFXOUT 晶体内部电容器
在 BOM 说明中、内部电容器外壳为9pF。
对在 EVM 上已连续运行的 PN 的确认: 8 MHz ±20ppm 晶振18pF 140欧姆
您好、Avraham、
1)我明白你的意思。 我个人仅使用了 EVM 形式的硬件设置。 我相信大多数客户也会使用 EVM 进行初始评估。 使用数据表中的配置不一定是错误的、您使用的只是一种不太熟悉的设置、您将错过驱动传感器信号的运算放大器的优势。 如果这在您的应用中是可以的、那么您可以像目前所做的那样根据数据表中的建议继续操作。
2) 2)我看到 EVM 的模式与数据表中的不同。 正如我在前面的问题中提到的、我对 EVM 的配置更熟悉、因为我在所有测试中都使用该配置、我建议您使用 EVM 作为设计的第一个参考、然后使用数据表作为辅助参考。
3) 3) MSP430FR6043和 MSP430FR50431是相同的、除了 UART/I2C 引导加载程序的差异之外、主要是 LCD 的存在。 如有疑问、您应该参考6043 EVM 进行参考。
4) 4)我看不到 BOM 将 Y1 - HFXT 指定为9pF 的位置。 我在下文直接看到、LFXT 指定为9pF、列出的器件为9pF。 您能指出 HFXT 的写入为9pF 的位置吗? 在您的屏幕截图中、我 没有看到电容规格。
阅读这些内容、我发现 EVM 与我们的数据表在几个地方有所不同。 考虑到 EVM 是在部件本身之后开发的、并且它们通过了更多应用特定的测试、我想说您应该将 EVM 视为比数据表更高的参考。 如果存在巨大的差异或令人担忧的事情、可以随时指出、以便我进一步了解、但该 EVM 已成功使用了很长时间、 而且也是我使用部件的唯一硬件、因此我认为它在设计硬件时可提供非常可靠的帮助。