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[参考译文] MSP430F6775A:闪存

Guru**** 2044370 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F6775A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1392150/msp430f6775a-flash

器件型号:MSP430F6775A

工具与软件:

您好!

我想问是否可以在不擦除的情况下写入存储器中的信息 C-D 段、因为我注意到它适用于闪存、但不适用于信息段。 在未擦除的情况下写入后、数据会不同。

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    您好、Stanislav、

    我认为、由于闪存的特性、在写入前需要将其擦除。 由于信息 C-D 是闪存存储器的一部分、所以无需擦除即可写入。 在 MSP430F6775A 的 TRM 中、您可以找到以下说明:  

    此致、

    Janz Bai

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    您好!

    MID 在 MSP430F6775A 上不可用、所以我不知道是否可以使用它。  它可能为真、但在普通闪存上、即使没有在同一存储器段中进行擦除、也会成功写入。 例如、我写了一个字而没有擦除、然后第二个字就在第一个字旁边、结果成功。  然而、在信息区域中、一些位出现了中断、例如、这里有一个0xAAAA、而不是0xAAAA。 这会让人有点困惑。

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    您好、Stanislav、  

    我很抱歉,我以前误解了你的意思。 在我们的 TRM 中、您可以找到该说明。

    所以、您可以将字节、字(2个字节)和 long (4个字节)写入 闪存、但前提是此位置的闪存是空的(0xFFFF)。 如果这个位置不是空(0xFFFF)、您必须先将其擦除。 擦除仅包括段擦除、组擦除和反例擦除。 在将字节写入 INFO 区域之前、应确认要写入的区域是否已有数据。 更多有关闪存控制的具体信息、请从 TI.com 下载 TRM 并学习。

    MSP430x5xx 和 MSP430x6xx 系列用户指南(修订版 Q)(TI.com)

    此致、

    Janz Bai