[参考译文] MSP430F5418A：R15上的闪存段擦除失败、R12成功

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1473935/msp430f5418a-flash-segment-erase-failure-with-r15-success-with-r12

工具与软件：

在通过内部闪存控制器擦除 MSP430F5418A 中的闪存段时、我看到一些奇怪的情况。 擦除功能位于 RAM 中、这是因为擦除的段位于 执行闪存存储体代码的同一个闪存存储体中。 通过反汇编、我已将问题范围缩小至 R12与 R15。 当段擦除的虚拟写入使用 R12进行基址偏移寻址时、段被成功擦除。 当 R15被使用时、此段不被擦除。

以下代码失败、地址为 0x0000 (R15)。

19.       FCTL1 = FWKEY | ERASE；/*启用段擦除*/
00561c：40B2 A502 0140 MOV.W #0xa502、Flash_FCTL1
20.       *sptr = 0;/*虚拟写入以开始擦除*/
005622：43CF 0000 CLR.B 0x0000 (R15)
22.       SPIn (FCTL3和 BUSY)；
L2美元：
005626：B392 0144 bit.W #1、&Flash_FCTL3
00562a：23FD JNE ($C$L2)

以下代码成功发送地址为 0x0000 (R12)。

41.       FCTL1 = FWKEY | ERASE；/*启用段擦除*/
L1美元：
00561c：40B2 A502 0140 MOV.W #0xa502、Flash_FCTL1
42.       *sptr = 0;/*虚拟写入以开始擦除*/
005622：43CC 0000 CLR.B 0x0000 (R12)
44.       SPIn (FCTL3和 BUSY)；
L2美元：
005626：B392 0144 bit.W #1、&Flash_FCTL3
00562a：23FD JNE ($C$L2)

擦除段时、用于基址偏移寻址的寄存器是否有限制？ 很明显、R12和 R15之间存在差异。

我担心的是、随着我继续对这些代码进行更改、编译器将决定开始使用 R15而不是 R12、这会中断代码。