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[参考译文] MSP430F6777A:编程和擦除耐久性解释

Guru**** 2382630 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F6777A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1475788/msp430f6777a-program-and-erase-endurance-interpretation

器件型号:MSP430F6777A

工具与软件:

您好!

我使用的是 MSP430F6777A、需要每15分钟将数据定期存储在其闪存中。 数据必须在接下来的10年内可靠地存储、这相当于大约350,000个写入周期。

根据数据表、最小编程/擦除耐久性被指定为 10,000个周期 而典型值为 100,000个周期 . 这些值之间的较大差异引发了一些问题、我需要确定应分配多少个闪存扇区来分配磨损并实现所需的耐久性。

我的问题:

  1. 这是什么原因 10k Ω 差值× 两个耐写次数之间的差异?
  2. 执行 最小值 值(10K 周期)表示极端条件(例如、极低/高温、低工作电压)、即使在低于此限值时、CAN 故障仍会在此限值附近发生 任何合适的条件 (例如、在25°C 以3.3V 电压运行)?
  3. 如果有的话 100万个 MSP430F6777A 芯片 频率 3.3V 和25°C 中的一些会在3.3V 和25C 下仅仅10000个周期后开始出现故障吗? 或者这些 故障是否仅在更恶劣的条件下才会出现?

根据这些因素、我正在决定是否进行分配 4个扇区 达到50万个周期、或者在需要时 40个部门 长期可靠性。

感谢您的宝贵意见!

谢谢。

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    Mehmet、您好!

    已收到您的问题、我需要与团队确认此问题、我会尽快更新。

    此致、
    Peter

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    您好、Peter、

    这里有更新吗?

    谢谢。

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     Mehmet、您好!

    很抱歉这么晚才回复。  我已经和我的团队讨论过、还找到了一份与该问题相关的应用手册。
    了解典型和最大编程/擦除性能

    说实话、我们目前还没有发现任何与 擦除耐久性相关的内部数据报告。 换言之、对于 MCU 的闪存擦除耐久性测试、"1万到10万个擦除周期"通常基于原始工厂数据体验值、而不是 MCU 制造商自己测试的结果。 MCU 制造商更多地依赖于闪存原始工厂提供的数据进行设计和验证、但在实际应用中、测试结果可能会因具体条件而异。

    如上面链接的文件中提到的那样、闪存擦除耐久性中的最小值(最小值)和典型值(典型值) 代表不同类型的统计结果。

    最小值基于最坏情况测试结果、通常在最不利条件(如高温、高压等)下获得。 最小值反映了器件在极端条件下的最低耐久性水平、而典型值基于大量测试数据的平均值、这些数据通常在标准条件(例如25°C、VCC = 3.3V)下获得。 典型值反映了器件在正常运行条件下的平均耐久性水平。

    对于实际应用、如果对可靠性有严格的要求、并希望确保器件在最坏的情况下仍能正常工作、建议参考系统设计的最小值。 或者、如果您针对的是大多数标准应用场景、则典型值可提供更合理的预期寿命并可供参考。

    希望它对您有所帮助。

    此致、
    Peter

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    每次写入多少数据? 如果远小于一个段的大小、则可以在必须擦除之前写入多组数据。