[参考译文] CC2745R10-Q1：CC2745R10-Q1 的 NVS 驱动器磨损均衡和耐久性问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/1603469/cc2745r10-q1-questions-about-nvs-driver-wear-leveling-and-endurance-on-cc2745r10-q1

器件型号： CC2745R10-Q1

尊敬的 TI 支持团队：

希望这封电子邮件对您有帮助。

我们将使用 CC2745R10-Q1 器件和 SimpleLink 低功耗 F3 SDK（版本 9.12.00.19）开发产品。我们使用 NVS 驱动程序持续存储调试数据（VIN，阈值，校准值等）。
我们有关于 NVS 驱动器行为的几个重要问题：

NVS 驱动程序 (NVS_READ/NVS_WRITE API) 是否实现内部磨损均衡？根据我们的理解和测试、使用相同的闪存扇区写入时、似乎始终以区域内相同的偏移 (0) 为目标。磨损调平是由驾驶员自动处理、还是由应用程序负责？

如果没有内置磨损均衡、那么对于可能执行偶尔写入的应用程序（例如，10 年内每天 1–10 次写入）、建议采用什么方法？
我们是否应该实施手动磨损均衡（例如，多个带旋转的槽）、或者闪存耐久性是否足以满足我们的用例？

CC2745R10-Q1 内部闪存上每个扇区的典型写入/擦除耐久性是多少？
我们使用的是 8KB 的 NVS 区域。使用 NVS_write_erase | NVS_write_post_verify、在性能下降之前、每个扇区可以预期多少个可靠的写入周期？
是否有任何推荐的替代方案（例如，NVOCMP）可在调试型持久性存储中实现更好的磨损均衡？

我们非常希望您提供任何指导或最佳实践、因为我们希望确保现场的长期可靠性。
提前感谢您的支持。

此致、
Ankur Singh

4 个月前

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2756835 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好：

NVS 驱动程序 (NVS_READ/NVS_WRITE API) 是否实现内部磨损均衡？根据我们的理解和测试、写入时似乎始终以使用相同闪存扇区的区域内相同偏移 (0) 为目标。是否由驾驶员自动处理磨损调平、或者是否由应用程序负责

如果您直接使用 NVS 驱动器、则磨损均衡必须由显影器处理。但是、我建议使用 osal_SNV 、因为它可以处理磨损均衡并确保内存磨损最小。以下是一些资源：

https://dev.ti.com/tirex/content/simplelink_lowpower_f3_sdk_9_14_00_41/docs/ble5stack/ble_user_guide/html/ble-stack-common/flash_memory-cc23xx.html?highlight=osal_snv#flash

https://dev.ti.com/tirex/content/simplelink_lowpower_f3_sdk_9_14_00_41/docs/ble5stack/ble_user_guide/html/ble-stack-common/flash_memory-cc23xx.html?highlight=osal_snv#non-volatile-storage-with-the-ble-stack

这是在假设这些写入发生在 BLE 任务上下文中的情况下实现的。

如果没有内置磨损均衡、那么对于可能执行偶尔写入（例如 10 年内每天 1–10 次写入）的应用程序、建议采用什么方法？
我们是否应该实施手动磨损均衡（例如，多个带旋转的槽）、或者闪存耐久性是否足以满足我们的用例？

建议的方法是使用多个旋转槽。上面提供的第一个链接详细介绍了 osal_SNV 如何实现此目的、并且可以复制其实现。但是、我仍然建议直接使用 osal_SNV、因为您将要重新实现它。

再次重申、为了使用 osal_SNV、必须在 BLE 任务上下文中进行写入。否则、您将需要使用 NVS 或 NVOCMP 并实施磨损功能。

CC2745R10-Q1 内部闪存上每个扇区的典型写入/擦除耐久性是多少？
我们使用的是 8KB 的 NVS 区域。使用 NVS_write_erase | NVS_write_post_verify、在性能下降之前、每个扇区可以预期多少个可靠的写入周期？
是否有任何推荐的替代方案（例如，NVOCMP）可以在调试型持久性存储中实现更好的磨损均衡？

您可以在数据表中找到此信息： CC274xR-Q1、CC274xP-Q1 汽车 SimpleLink 低功耗 Bluetooth无线 MCU 数据表（修订版 D）