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[参考译文] RF430FRL154H：使用 RF430FRL154H 收集射频能量

admin
Guru**** 2826755 points

Other Parts Discussed in Thread: RF430FRL154H, TIDM-RF430-TEMPSENSE

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/1626674/rf430frl154h-rf-energy-harvesting-using-rf430frl154h

部件号： RF430FRL154H

我想使用 RF430FRL154H 从手机中收集 NFC 射频能量并将其存储在电容器组中。

RF430FRL154H 默认情况下是否启用了射频能量收集、或者在开始收集之前是否需要进行预先配置/编程？

此应用中没有可用的微控制器、因此该解决方案必须能够在暴露于手机 NFC 现场时自动开始收集能量、无需任何预编程。

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    TI__Guru**** 2826755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Rohan Kadam、

    如果我正确阅读了常见问题解答、并且通过一些 E2E 主题、RF430FRL154H 的设计应该可以从三个来源收集一些射频能量：VDDSW/VDDR、VDDH 和 VDD2X。

    不过、请务必确保您参考具有射频能量收集功能的参考设计（例如 TIDM-RF430-TEMPSENSE 参考设计|德州仪器 TI.com）  。  

    RF430FRL15xH 器件常见问题解答（修订版 C）

    RF430FRL152HEVM 能量收集原型设计 — 其他无线技术论坛- TI E2E 支持论坛

    RF430FRL152H：能量收集 — 其他无线技术论坛-其他无线网络 — TI E2E 支持论坛

    谢谢、
    Alex F

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    TI__Guru**** 2826755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     Alex *** 

    感谢您的答复。  当手机的射频场激活并靠近环路天线时、IC 的 VDDH 引脚会产生电压、在 不对 IC 进行编程的情况下能否实现整个功能？

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    TI__Guru**** 2826755 points
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    您好 Rohan Kadam、

    我们这款设备的专家目前已不在办公室；他们将于下周返回。 我只能建议遵循现有文档的说明、因为这是我可以参考的内容。  

    谢谢、
    Alex F

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    TI__Guru**** 2826755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Rohan：

     RF430FRL154H  使用  不会  需要任何先前的配置或编程、以开始从 NFC 字段采集能量 。 它设计为在无源（无电池）模式下完全正常工作、在该模式下、它会自动收集能量为其内部系统供电、并且可以在外部组件进入 13.56MHz H 场时立即为其供电。  
    能量收集详细信息
    • 自动启动 ：当芯片暴露于智能手机或读卡器的 NFC 射野中时、将自动在产生电压  VDDH  引脚。
    • 收割源 ：该设备提供多个来自射频场的稳压和非稳压电压源：
      • VDDH :通常在周围  1.86V 、用于内部电路、可用于外部传感器。
      • VDD2X ：一个内部电压倍增器、提供大约值  2.7V 至 2.9V 。
      • VDDSW/VDDR :约  1.5V 。
    • 无需微控制器 ：内部 ROM 固件自动管理基本 RF 接口和电源管理。 对于简单的储能应用、您可以通过适当的去耦将电容器组直接连接到这些电源引脚（通常为 VDDH）、因为该器件会在检测到后立即开始整流和调节射频场。  
    重要设计说明 :当芯片自动开始收割时,可用的电流量是有限的（通常  600µA 处于 VDDH  和  VDD2X 时为 150µA )。 大电容器组可能需要一个“冷启动“时间段、在此期间电压升高缓慢；确保下游电路不会尝试消耗比射频场可补充的电流更大的电流。  
    谢谢、
    Riz
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    TI__Guru**** 2826755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Rizwan Murji 感谢详细的解释。