你(们)好。
被动使用 RF430FRL152H (无电池)时、我需要一个稳压电源。
我注意到、当"仅使用 Rf"时、倍压器被禁用。 但是、我能否通过设置 EN_V_doub 位来打开它?
是否在 FRAM 过程中始终打开它? 不使用电池时、我是否可以使用倍压器为外部电路供电?
我可以将 VDDD 用作稳压电压输出吗?
或者我是否可以使用任何其他稳压输出、如 VDDD?
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你(们)好。
被动使用 RF430FRL152H (无电池)时、我需要一个稳压电源。
我注意到、当"仅使用 Rf"时、倍压器被禁用。 但是、我能否通过设置 EN_V_doub 位来打开它?
是否在 FRAM 过程中始终打开它? 不使用电池时、我是否可以使用倍压器为外部电路供电?
我可以将 VDDD 用作稳压电压输出吗?
或者我是否可以使用任何其他稳压输出、如 VDDD?
您好 Tina、
如果您需要3V 电压、可以将 VVD2X 输出用作外部电源。
通常情况下、倍压器仅在 FRAM 访问期间打开、但也可以通过设置 EN_V_doub 位来打开。
只要不超过最大电流、就可以使用该电压。 在设置此位时、不要错过在 RFPMMCTRL0寄存器中设置密码。
在《技术参考手册》中、您可以看到完整的内部电压电源。
如果您仅需要1.5V 电压、您还可以使用 VDDSW。 该电源可以提供比 VDD2X 更高的电流。
不建议将 VDDD 用作外部电源。
此致、
Helfried
您好、Helfred、
VDD2X 是用于调节恒定电压的稳压器吗? 我一直在阅读该规格、看到它取决于 VDDSW?
我需要为我的应用调节电压。 如果未对 VDD2X 进行调节、您是否有其他建议?
此外、我不确定如何设置 EN_V_dob 位。
我了解如何发送和接收 ISO15693命令以及如何通过向块写入和读取数据来设置 ADC 采样。
设置 EN_V_dob 位是否相同?
谢谢、
Tina
您好 Tina、
如果器件由射频供电、则 VDDSW 取自电压 VDDR、该电压为典型值为1.55V 的稳压电压。 该电压是 VDD2X 电压的两倍。 根据您消耗的电流、VDDSW 比@100µA μ W 低100mV。
如果您需要更好的稳压电压或更高的电流、还可以在谐振电路中添加外部整流器和稳压器。
如果要设置 EN_V_doub、ISO15693命令无法实现这一点。 在这种情况下、您必须编写一个将 设置该寄存器位的固件。
此致、
Helfried
您好、Helfried、
我是否可以确认仅使用射频时 VDDSW 将连接到 VDDR? 因为我已经阅读了将 BS_VR_VBN 复位为0h 的技术参考。
这是否意味着它在复位时连接到 VDDB、而在没有使用电池的情况下、它会将其位置更改为 VDDR、因为 VDDR 上的电压电平会更高?
此外、如果 VDD2X 是 VDDSW 的两倍、它是否也会进行调节? 由于我在 FRAM 过程中测试了 VDD2X、因此电压电平上升到大约2.6V、但波动很大。
谢谢、
Tina
您好 Tina、
请参阅《技术参考手册》第2.2.4章。
此开关被自动设定为两个电压(VDDR/VDDBSW)中的较高值。 BS_VR_VBN 复位值的描述有点误导。 它只是寄存器的复位值、但在读取时代表实际的开关状态。
当开关默认为 VDDB 且没有电池时、器件将不工作。 开关的工作取决于可用电压。
如果您能够在固件中设置 EN_V_doub 位、则 VDD2X 电压应保持稳定。
此致、
Helfried