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器件型号：TRF7970A 您好！
最近、该公司使用 trf7970a 开发 NFC 设备。 由于在后端添加了3W 射频功率放大器、因此电路噪声太大、MCU 无法正常工作。 现在、我们要改进该电路。 我们有几个问题要问您：
负电源连接(VSS_PA、VSS_RX、VSS、VSS_A、VSS_D)
我的计划是将 VSS_ PA、VSS_RX 连接为 PA_GND；VSS、VSS_ A、VSS_D 连接为 GND.PA_GND 和 GND、作为通过磁珠进行的单点连接。 可行吗？ 为了最大限度地降低噪声、有哪些更好的建议？
SPI 通信异常
插入光耦合器阵列时(信号包括 EN、SCLK、MOSI、MISO、SS、 IRQ)、我希望噪声能够减少对 MCU 的影响、但现在它会导致 SPI 通信异常。 光耦合器引起的延迟约为1.5us。 具体现象如下：程序似乎停止运行、但它可以对计时器中断做出响应。 如果光耦合器被移除、则通信正常。 此问题是否由光耦合器的延迟引起？ 我指的是 TRF7970A 的官方计划。 它在计时方面如何更可靠？
