[参考译文] RF430FRL152H：复位矢量改变

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/651272/rf430frl152h-the-reset-vector-change

器件型号：RF430FRL152H
主题中讨论的其他器件：TRF7960、 ADS1018、 MSP430FR5972

你好

我有疑问。芯片经常停止工作。然后、我使用仿真器读取存储器。我发现复位矢量已更改为类似0x0080、0x1250，它是随机的。除了此芯片、我还有一个20KW 高功率器件。如果它处于关闭状态、则没有问题。我认为这是干扰问题导致内存损坏。我在这个论坛上搜索到的这个问题很少。我尝试了他们的方式。仍然无法解决问题。为什么只更改了复位矢量？

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好、Malin、

这可能是一个干扰问题、但我们以前没有看到过、因此让我们退一步、如果您可以共享原理图、我可以查看它以了解任何可能的硬件问题。

此外、您是否曾经在发生复位矢量变化时与器件通信、或者是否在没有射频读取器的情况下随机发生？

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好 Ralph、

在我测试时、它始终与 TRF7960芯片通信。我附加了电路图。请帮您检查。下面是 progarm 的一部分。

void main()
｛


   WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD；                  //停止看门狗

   // ROM RF13M 模块设置**正确的 RF 堆栈操作需要以下三行
   DS = 1；                            //需要在此处初始化 ROM 变量
   ASM ("调用#0x5CDA ")；                //调用 ROM 函数(初始化函数指针)
   ASM ("调用#0x5CAC ")；                //调用 ROM 函数(检查器件配置)

   RFPMMCTL0 = PMMPW；                                   //解锁 RFPMM
   RFPMMCTL0_L |= RFPMM_EN_V_Doub；                    //启用 VDD 倍频器
   RFPMMCTL0_H |= 0xFF；                                   //锁定 RFPMM

   NFC_buff [0]= 0；
   NFC_buff [1]=0；
   NFC_buff [2]= 0；
   NFC_buff [3]=版本；


   RF13MCTL |= RF13MTXEN + RF13MRXEN + RF13MRFTOEN；   //在 RF13M 模块上设置 Rx 和 TX 功能
   //启用中断 **不要更改以下两行，这是正确的 RF 堆栈操作所必需的
   RF13MNT |= RF13MRXIE + RX13MRFTOIE；          //在 RX 和超时以及过流和欠流检查上启用中断

   //initISO15693 (clear_block_lock)；//clear 保护

   memset (((u08_t *) FRAM_LOCK_blocks、0x00、36)；      //锁定 NDEF 区域
   FRAMAccessLimit_Byte = 0xF8D0；



   DeviceInit()；

   //设置 ADC
   //SD14CTL0 = SD14EN + VIRTGND + SD14IE；//ADC 启用、虚拟接地启用、中断启用。
   //SD14CTL1 = SD14UNI + SD14INTDLY0；    //单极模式、中断在第一次采样后触发。

   _bis_SR_register (GIE)；

   //读取环境温度
   WRITE_TO_ADS1018 (1)；//读取环境数据

   Tempi=Read_FR_ADS1018 (1)；
   AmbientTemp=tempi；
   Write_TO_ADS1018 (0)；//读取 TC
   TA0CTL |= MC_1；//开始计时器
   while (1)
   ｛
      // SD14CTL0 |= SD14SC；//开始转换
      _bis_SR_register (LPM3_bits + GIE)；
   ｝
｝

e2e.ti.com/.../sensor-board.pdf

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好、Malin、

好的、感谢您提供原理图。您的帖子肯定让我想起了之前的一篇文章、其中 VDDSW 电容器不是我们推荐的值、并且具有相同的行为。这可能是您在这里看到的内容。 VDDSW 的建议值为2.2uF。您能否尝试更改该电容器并查看行为是否消失？

为供参考、之前的问题也发布在 E2E 上： e2e.ti.com/.../2303394

请报告此更改是否有效、因为当第一次出现此更改时、我怀疑使用的电容器太小、但是、如果将4.7uF 更改为2.2uF 可以为您解决问题、那么必须知道它需要是正确功能的确切值。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好 Ralph、

在我将4.7 μ F 替换为2.2 μ F 后仍然相同。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好、Malin、

嗯、我明白、好的、首先感谢您的努力。回顾您之前的帖子、

[引用 USER="Malin]I 测试时、它始终与 TRF7960芯片通信。 [/报价]

好的、我知道、但我更想弄清楚的是、当通信突然停止时、TRF7960向 RF430FRL152H 发送和接收数据、或者当 TRF7960尝试与其通信时、器件突然没有响应。

基本上、我正在尝试测量是否存在 FRAM 存储矢量表在意外情况下被覆盖的风险。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好 Ralph、

我们将用于 VDDH 的 C5从100nF 更改为4.7uF。问题不再发生。我不能肯定它绝对解决了问题。但它确实有所改进。我认为天线拾取的噪声会导致存储器电源问题、或者 ROM 中存在写复位矢量的程序保护。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好、Malin、

感谢您的更新、这对我来说似乎是一个合理的解决方案、只要设备看起来工作正常、问题得到解决、我就不会看到修改的问题。感谢您分享您当前的解决方案。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2516170 points

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您好、Malin、Ralph

我在 Msp430FR5972上遇到了相同的问题、这是因为 Fram 实际上像 RAM 一样、不受保护

通过写入闪存部分、因此可以随时读取和写入 RAM 等所有存储器大小。

我没有检查 RE430FRl152h 存储器项、但如果是 FRAM、可能是相同的。

路易吉

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