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[参考译文] TRF7970A:RX_IN1引脚上的电容值

Guru**** 1178510 points
Other Parts Discussed in Thread: TRF7970A, TRF7964A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/685775/trf7970a-value-of-capacitors-on-rx_in1-pin

器件型号:TRF7970A
主题中讨论的其他器件: TRF7964A

团队、

我看到 了许多 TRF7970A 硬件设计、每个 RX_IN1引脚都有1200pF 电容器、如下所示。

我 对这些电容器值有疑问。  可以更改它们吗? 如果是、这些器件的建议值是多少? 是否必须使用1200pF?

此致、

TED

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    尊敬的 Ted:

    可以更改这些值、但更改它们会影响我们设计的 TRF79xx 匹配网络的输出。 该网络将来自 TRF79xx 的4 Ω 输出端连接到50 Ω 点、然后可以在该点连接天线并将其调谐到50 Ω。 要最大限度地提高射频性能、天线和 TRF79xx 系统之间的匹配非常重要。

    我们提供的匹配网络经过一段时间的试验和测试、目前 TI 不会研究在网络上更改任何组件的影响、因此我们的推荐值不会超过所使用的1200pF。

    该网络是使用 LTSpice 仿真设计的、因此可能的选择是对不断变化的组件进行仿真以实现相同的结果(注意、起点需要是4 Ω 阻抗源)、但从现在开始、我们不支持此类工作。
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    我还有一个使用 TRF7954A 的项目、它很快就会投入生产。  为了鉴定射频路径上使用的组件、您能否建议使用 VNA 测量50欧姆点(朝向芯片)处的阻抗的正确方法?   我尝试在芯片断电的情况下进行测量、但肯定不是50欧姆、所以我想这不是一种合适的方法。   芯片是否需要加电? 为了使芯片进入可测量50欧姆阻抗的适当状态、需要使用哪些适当的寄存器设置?

    请提供建议。

    谢谢。

    此致、

    Paul

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    抱歉、拼写错误 TRF7964A。
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    您好 Paul、

    是的、芯片需要上电并发出射频字段、因此需要设置寄存器0x00 (芯片状态控制)中的位5。

    确保您的测量工具能够处理射频场输出的峰峰值电压摆幅(高达10Vpp)。

    下面是一个有用的幻灯片、其中介绍了电路中各个测试点的预期结果:e2e.ti.com/.../3125.0878.TRF79xxA_5F00_Test-points_5F00_05_5F00_2013.pdf