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器件型号:TRF7970A 主题中讨论的其他器件: TRF7964A
团队、
我看到 了许多 TRF7970A 硬件设计、每个 RX_IN1引脚都有1200pF 电容器、如下所示。
我 对这些电容器值有疑问。 可以更改它们吗? 如果是、这些器件的建议值是多少? 是否必须使用1200pF?
此致、
TED
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我还有一个使用 TRF7954A 的项目、它很快就会投入生产。 为了鉴定射频路径上使用的组件、您能否建议使用 VNA 测量50欧姆点(朝向芯片)处的阻抗的正确方法? 我尝试在芯片断电的情况下进行测量、但肯定不是50欧姆、所以我想这不是一种合适的方法。 芯片是否需要加电? 为了使芯片进入可测量50欧姆阻抗的适当状态、需要使用哪些适当的寄存器设置?
请提供建议。
谢谢。
此致、
Paul
您好 Paul、
是的、芯片需要上电并发出射频字段、因此需要设置寄存器0x00 (芯片状态控制)中的位5。
确保您的测量工具能够处理射频场输出的峰峰值电压摆幅(高达10Vpp)。
下面是一个有用的幻灯片、其中介绍了电路中各个测试点的预期结果:e2e.ti.com/.../3125.0878.TRF79xxA_5F00_Test-points_5F00_05_5F00_2013.pdf