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[参考译文] CCS/RF430FRL152H:更换 RF430FRL152HEVM 上的 RF430FRL152H 后、对全新的 RF430FRL152H 进行编程

Guru**** 2535260 points
Other Parts Discussed in Thread: RF430FRL152H, RF430FRL152HEVM, MSP-FET

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/669139/ccs-rf430frl152h-programming-a-brand-new-rf430frl152h-after-replacing-the-one-on-an-rf430frl152hevm

器件型号:RF430FRL152H
Thread 中讨论的其他器件:MSP-FET

工具/软件:Code Composer Studio

为了对我们拥有的新 RF430FRL152H 进行编程、我决定尝试替换 RF430FRL152HEVM 上提供的 RF430FRL152H。   这款 RF430FRL152HEVM 在几周前随机停止响应 NFC、因此我希望新 的 RF430FRL152H 能够解决这一问题、并为我们在自己的电路上取得进展提供一个概念证明。   

问题是、每次我尝试对其进行编程时、我都会收到"Error connecting to the target:the Debug Interface to the device has been secured"。  我遇到了这个主题、有人遇到了类似的 问题 https://e2e.ti.com/support/wireless_connectivity/nfc_rfid/f/667/p/413783/1470038#1470038 

连接到目标时出错:未知设备" 我可能未正确连接它、需要重新访问。   

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    您好 Jason、

    虽然我理解您的问题陈述、但我不知道您对此情况有什么疑问。 对您需要的指导进行一些澄清将会有所帮助。

    我的结尾有问题:
    您使用什么接口对 RF430FRL152HEVM 进行编程?
    除了芯片交换之外、您是否对电路板的发货方式进行过任何硬件更改?
    EVM 上的开关有哪些设置?
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    您好、Ralph、

    有关我的终端的更多信息可能会有所帮助。

    我使用 MSP-FET 对 RF430FRL152HEVM 进行编程。 在我们手头的板中、我知道其中一个板可以正常工作。 我已经能够使用一些默认程序通过 CCS 成功地对该板进行编程、现在、名为"RF430FRL152H_NFC_ONF_ONLY Project _NDEF_Support"的默认程序

    我尝试进行芯片交换时、对电路板进行了一些小的修改。 我使用器件随附的代码连接我自己的传感器、并使用 Android 应用进行报告 为此、我删除了 R4和 R3。 移除这两个电阻后、我很幸运地通过 ADC 收集数据。

    最近、我需要为项目的另一部分取下 VDD2X、因此我认为最好不要将其焊接到 C24的焊盘上。 我不知道当时我在想什么、但长故事短、似乎工作了几分钟、然后董事会停止了完全沟通。 我已经重新连接了 C24、但 R3和 R4仍被移除。

    切换时、我正在使用 SV7上的跳线、我有电源供电、S5为0、S4为0、S3为 S

    -Jason
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    您好 Jason、

    好的、感谢您提供这些详细信息。 我也不担心 R3/R4被移除、该电路板专为要移除的器件而设计。 不过、对于 VDD2X、您是否认为电容为100uF? 如果以某种方式重新填充了错误的电容器、可能会导致问题。

    对于 MSP-FET 编程、开关设置应该是正确的。

    就您链接的帖子和对布线的质疑而言、该海报试图在没有 EVM 硬件的情况下对器件进行编程、因此与您的案例不匹配。 我会仔细研究 VDD2X 方面、看看是否会有任何问题导致。 当您在 R20上时、可能需要验证是否没有焊接桥、因为它们靠近在一起。

    如果 EVM 未进行任何其他修改、我不能想到会导致编程问题的任何其他问题。
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    我的一个问题是热量对这些芯片的影响。 我先使用热空气进行焊接、然后使用焊锡膏进行焊接、然后使用焊铁清理触点。 我看到热空气达到550、首先将该区域升高到温度、然后再将其调高至700、以实际熔化焊膏。 它在700时仍需要30秒至1分钟的时间。
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    您好 Jason、

    数据表中的一条注意事项如下:"如果应用原型设计需要手工焊接、任何单个器件的峰值温度不得超过250°C、总持续5分钟。" -我不确定 EVM 是否能充当足够的散热器来避免这种问题。

    温度升高的一个风险是影响 FRAM 存储器、换句话说、它可能会覆盖、擦除等部分存储器。 如果问题是焊接后程序保留、则可能会发生这种情况。 但是、如果您在焊接后无法访问 JTAG、那么我想知道该过程中是否有禁用 JTAG 的内容。 您能否尝试使用 RF430FRL152HEVM GUI 通过传感器配置选项卡启用 JTAG? 请参阅本文档的第4.6节: http://www.ti.com/lit/ug/slau607b/slau607b.pdf

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    我认为温度是问题所在。

    我决定使用相同的板和新芯片重试。 这一次、我使用了一个带有小鸥翼尖的焊接烙铁、而不是使用头枪来熔化焊锡膏。

    我没有焊接底部焊盘、但我在焊盘上放了一些焊锡膏、希望能接触到。

    以这种方式进行编程、一切似乎都按照预期进行编程和工作。 现在、我需要弄清楚如何在对芯片进行编程后最好地将其移除。 由于我们订购了 QFN24压缩套接字和相应的 DIP 分接字、这将不再是一个问题。