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器件型号：RI-TRP-DR2B 工具与软件：
尊敬的先生或女士！
我们想在特殊应用中使用您的 NFC 半导体。 这里有一个"混沌"的电压电位环境。
在此环境中、可能会出现高达1500V 的快速、不规则的电压突变。 距 IC 和天线(例如 RI-TRP-DR2B)仅约5mm。
您是否有关于此类操作环境中的可靠性和使用寿命的任何信息？
来自瑞士的亲切问候！
工具与软件：
尊敬的先生或女士！
我们想在特殊应用中使用您的 NFC 半导体。 这里有一个"混沌"的电压电位环境。
在此环境中、可能会出现高达1500V 的快速、不规则的电压突变。 距 IC 和天线(例如 RI-TRP-DR2B)仅约5mm。
您是否有关于此类操作环境中的可靠性和使用寿命的任何信息？
来自瑞士的亲切问候！
您好！
从数据表中可以看出、该器件不易受 ESD 事件的影响。 ESD 事件甚至可以在短时间内超过1500V。 我们没有关于您特定操作环境下的可靠性和使用寿命的信息。 只要您处于数据表中定义的规格范围内、我就不会看到问题。
