[参考译文] LM5177：原理图审阅

尊敬的 Jeff：

我发现您尚未改用 LM51770 -有没有原因吗？

请在下面查看我的审核列表和标记为粗体的行项目、应再次进行检查(注意：此处留下了其他信息、用于概述所检查的内容)

(由于信息丢失、未选中带下划线的部分)

已检查快速入门计算器

好的  

原理图：

• 建议使用 LM51770 (更新版本并替换 LM5177)
• 与电感器串联且在电感器之前具有 RCS
• 检查过滤器是否存在 RC
  电流检测电阻 RCS 没有所需的滤波器
• 检查过滤器是否有 Risns
  电流检测电阻器 Risns 没有滤波器-建议添加占位符

• 如果未使用 ISNS、则将 IMONOUT 连接到 VCC
• SW1和 SW2上的缓冲器
  在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
   (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
  注意：缓冲器将电阻器与 GND 相连、以获得更好的热性能

• BIAS 已连接
  如果未使用 BIAS、则连接到 VOUT 的 GND 或 VIN (请勿保持开路)
  BIAS 可以连接到 VIN (如果未超出 BIAS 的最大额定值)、以受益于 LDO 在 BIAS 上的更好性能

• 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
  (它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、
  其他选项：并联添加一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
  注意：良好的起始值为3.3Ω、然后在测试 PCB 时进行调整
• MOSFET 的额定电压
  (建议裕度为30%)
• MOSFET 的米勒平坦区
  所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET -可在2.5V-3.5V 范围内的米勒平坦区看到
• 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
  UVLO 设置为 XV、但运行范围从 XV -相对较大的距离开始
• VCC 处的电容(EVM 使用：47 μ F)：(数据表最小值：10uF、直流偏置
  请检查 Vcc 上的电容是否具有所需的电容(考虑直流偏置)-我们在 EVM 上使用47 μ F

有关布局指南、请先查看此应用报告： https://www.ti.com/lit/pdf/slvafj3

有关布局的其他信息(基于其他设备、但在大多数情况下对设备有效)可在此处找到：

(1)四开关降压/升压布局提示1：确定布局的关键器件

(2)四开关降压/升压布局提示2：优化功率级的热环路

(3)四开关降压/升压布局提示3：将差分检测线路与电源平面分离

(4)四开关降压/升压布局提示4：栅极驱动和返回路径布线

此致、

 Stefan