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[参考译文] UCC3818A:BAIS 电阻器容差

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC3818A, UCC3818
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1482882/ucc3818a-bais-resistor-caculate

器件型号:UCC3818A
Thread 中讨论的其他器件: UCC3818

工具与软件:

你(们)好  

对于最后一个 UCC3818A 噪声问题、此问题仍然存在。 现在我们要检查 CAI 引脚。  我们已阅读了应用手册 slua309c。 但我们不知道如何计算  slua309c 中的 Rbias、如下图1所示。 另外、图2 (客户示意图)中的 R61 (以橙色突出显示)。 您能帮我们说明一下如何测量它吗? 或提供相关 caculate 文件。 如果你能帮它计算,这是最好的。 谢谢。

  e2e.ti.com/.../920W_5F00_SCH.pdf

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    您好、Jonas:  

    实际上、SLUA309C 应用手册确实介绍了如何确定 Rbias 值、但却相当晦涩。   此用途没有专门的计算器文件。  

    基本解决方案是向 CA 的(+)输入(CAI 引脚)添加正失调电压。  问题是失调电压有多大?

    应用手册文本是指 CA 输入的最大失调电压、数据表指示为+2.5mV/-3.5mV。    最坏的情况是 Rx 电阻器上的-3.5mV、为3.6kR。  3.5mV/3.6k =-0.97uA

    应用手册文本是指乘法器的最大零电流输出、数据表指示该输出在整个温度范围内为-3.5uA。  将 CA 失调电压中的-0.97uA 添加到乘法器"零电流"=-3.5uA +-0.97uA =-4.47uA =~μ A-4.5uA。  

    因此、从 VREF 到偏置 CAI 的正电压需要至少+4.5uA 才能抵消-4.5uA 偏移电流的影响。   
    Rbias = VREF/4.5uA = 7.5V/4.5uA = 1.67mR。   

    我建议应用较小的裕度并使用1.50MR、但太低将产生过多的偏移、这会使 THDi 增加。  

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich 您好:

    感谢您的反馈。 另一个问题是、客户使用 R60:1K、R63;100K、 R64:470K、您能帮助检查这些值是否可行吗? 您能帮助建议这些电阻器的阻值吗? 谢谢

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    您好、Jonas:  

    SLUA309C 应用手册的第3页 还介绍了原则上如何确定 R1和 R2 (R63、R64)值、但我认为 细节 相当模糊。  我认为用数字举例会有所帮助。  

    1. 首先,R60的1KR 太低。  当 Q1打开时、它将从 VREF 中拉出7.5V/1KR = 7.5mA、而 VREF 的额定负载仅为~Ω 2mA 负载:

    我建议将 R60更改为100kr (是的、100kr、而不是应用手册中的10kR)、因此 VREF 负载为</= 75uA。  

    2. 接下来、当 VAOUT = 1V 时、Q1应关闭、而当 VAOUT 上升到更高电平时、则 Q1应开启。  使用 MMBT4401L 数据表(我无法获得清晰的乐山 DS)、图14和15表示 Q1将饱和、β 值为10、即7.5uA。  但我们在 VAOUT = 1V 时希望基极电流为~0uA。   
    图18显示了我们希望 VBE 在25°C 时小于0.5V、在较高的环境温度下甚至更低。   

    在您的情况下、我估计0.4V 会低到足以使 Q1保持关闭、因此0.4V/470kR (R64)= 0.85uA。  当 VAOUT = 1V 时、该电流必须流经 R63、因此 R63 =(1-0.4)/0.85uA = 705kR。  选择 R63 = 750kR、以在 VAOUT = 1V 时稍微降低 VBE (作为裕度)。

    3. 接下来、  当 VAOUT > 2V 时、Q1应导通。  使 Q1饱和、Ib = Ic = 7.5uA。  来自 Rbias 的集电极电流将可忽略不计。  
    图17显示在这种情况下、VBE 将约为0.5~0.6V。  使用0.55V 进行计算、Ib + I_R64 = I_R63。  7.5uA + 0.55V/470kR = 8.67uA。  (2V - 0.55V)/8.67uA = 167kR (对于 R63)。  但 R63在全 PFC 输出功率下将是 VAOUT 上的负载。  
    我建议设置 R63 = 220kR。  最大负载时、VAOUT =~5.5V。   VAOUT 上的负载为最大负载时(5.5V - 0.6Vbe)/220kR = 22uA。  这似乎是 VAOUT 150uA 拉电流能力的一小部分。

    由于这些计算涉及小电流下小电压的一些近似值和估算值、并且 Q1的 VBE 会随环境温度和电流的变化而变化、因此建议安装计算出的电阻值并评估失调电路在温度范围内的性能。  
    调整 R63和 R64的值、以优化 移除 CAI 偏移的负载电平。  调整 R63可能就足够了。  

    此致、
    Ulrich

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    你(们)好

    1.在极轻负载的情况下、哪个参数差异导致 IC 性能不佳会导致 PFC 出现 OVP? 当 PFC 退出 OVP 状态时、BAD IC 为什么将驱动波形的占空比调节到最大值? 在极轻负载条件下、PFC 电感器引起噪声的原因是什么?
    2.在原生产测试中,此参数的差异是否可以筛选或截取?
    3.该芯片如果在 PFC 电感中产生噪声、会不会导致芯片在长期使用过程中出现故障或者可靠性下降? 它是否会导致 PFC 线路器件故障?
    4.在过去的五年里,这个 IC 是否发生了变化(例如:原产地、晶圆、工艺、封装和测试、生产线设计、 等)?
    SLUA309C 文档说明了在轻负载下将进入 OVP。 PFC 电压(即大容量电容上的电压)是否超过设定的过压保护点? UCC3818是否进入过压保护(即 PIN10保护)? 但是、当不良的 IC 不再加载时、PFC 电压没有过压(在下图所示的波形中、CH2为绿色)。 请解释为什么芯片有 OVP 保护和断续模式? 为什么在恢复断续模式后、驱动波形的占空比得到了很大程度的调节? 测量的最大值超过90%(下图中的 ch1)。

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    你(们)好  

    以下是根据 TI 的电阻参数修改后的实际测试结果。
    1. TI 计算结果 R61必须更改为1.5M。 在实际测试中、R60=1K、R61=1.5M、R63=100K、R64=470K 可以解决 PFC 电感器中的噪声问题(如下波形)、但在10%负载(Po=100W)下、谐波无法通过 D 类

    2.实际测试 R60=1K、R61=2.3m、R63=100K、R64=470K 可以解决因芯片不良导致的 PFC 电感噪声问题。 谐波也可以通过 D 类、但 R61的电阻值小于 TI 的计算值(1.67M)。

    3. TI 计算出 R60=100K;R61=1.5M、R63=220K。 在实际测试中、R60=100K、R61=1.5M、R63=220K、R64=470K、 VAOUT (引脚7)电压稳定、但 Q1 (Q9)具有振荡、iTHD 非常大、且值不稳定。

    那么这些电阻器的多大值可能会解决这个问题呢? 谢谢

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    您好、Jonas:  

    我需要一些时间来分析您的最新信息、但明天我将不在办公室、所以我要等到下周才能处理这些信息。  

    这次请允许我。   

    此致、
    Ulrich

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    您好、Jonas:  

    2. 实际测试 R60=1K、R61=2.3m、R63=100K、R64=470K 可以解决由不良芯片引起的 PFC 电感噪声问题。 谐波也可以通过 D 类、但 R61的电阻值小于 TI 的计算值(1.67M)。[/报价]

    根据您的陈述#2、 您似乎找到了解决方案。   
    尽管您的电阻器值与我计算出的值不同、但如果它在您的应用中有效、我建议使用它。  

    此致、
    Ulrich