工具与软件:
您好、TI 团队:
我们已经尝试使用此参数来测量评估板的效率:
VIN = 48、05V (测量值)
IIN = 36 mA
VOUT = 3、33V (测量值)
IOUT = 333 mA (测量值)
Fsw = 800kHz
从结果中、我们只得到大约64%的效率。 根据数据表、该值应大于70%。 您能解释一下二者之间的区别吗? 我们如何获得更高的效率?
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工具与软件:
您好、TI 团队:
我们已经尝试使用此参数来测量评估板的效率:
VIN = 48、05V (测量值)
IIN = 36 mA
VOUT = 3、33V (测量值)
IOUT = 333 mA (测量值)
Fsw = 800kHz
从结果中、我们只得到大约64%的效率。 根据数据表、该值应大于70%。 您能解释一下二者之间的区别吗? 我们如何获得更高的效率?
尊敬的 Theresia:
效率降低的一个可能原因是内部稳压器耗散的功率。 通常、内部稳压器通过内部 LDO 调节至内部电源电压、因此更高的输入电压意味着会通过稳压器耗散更多功率。 如果使用固定输出版本、则 LDO 的输入改为通过输出电压连接、而输出电压可为内部稳压器提供较低的电压。
此外、正如提示、如果测量轻负载、则需要平均值计算时间更长的器件、因为该器件不会在不断地开关。
谢谢!
Richard
尊敬的 Richard:
感谢您的答复。 TI 的评估板以 可调模式使用此 TPSM365R6RDNR。 我想 TI 也使用此评估板来测量效率?
我的测量中的输入电压在 TPSM365R6RDNR 输入引脚附近测量。 其他部分没有其他损失。
具有更长平均值计算时间的器件、您是指 DMM?
我仍然可以获取与数据表中所述相同的效率结果。 您是否知道可以达到与数据表中相同的效率结果?
此致、
Theresia
尊敬的 Theresia:
是的、我们测量评估板的效率。 我指的损耗在器件内部。
基本上、我认为您获得数据表中所述类似效率的唯一方法是将器件换为固定输出电压。 这样做的原因是 LDO 产生了大量的功率耗散、因为 LDO 中的损耗可以通过通流元件的压降(48V-3.15V)乘以电流(Qg * FSW)来近似计算。
例如、如果要开启高侧 MOSFET、它需要3nC 的 Qg。 计算800kHz 开关频率下的损耗意味着您在3V、0.3A 运行时看到大约0.1W 的损耗、这大约是输出功率的10%。
但也是对的、很明显、要清楚使用什么器件进行测试、需要对数据表进行一些修改。
谢谢!
Richard
尊敬的 Theresia:
有几个原因。
假设您没有使用标准的3.3V 或5V 输出轨、而是想要1.8V 或18V 电压轨、则在运行更高的电压或无法从输出为 LDO 供电时会看到效率损失。 此功能仅适用于特定输出电压轨。
您也可以考虑 噪声问题。 可调器件具有外部电阻分压器、这些分压器与之相关、并且可以与 LDO 耦合来影响电路的其他部分。 但是、固定输出电压器件已经具有内部电阻分压器网络、具有更高的抗噪性。
如果是固定频率器件、您可以将 MODE/SYNC 引脚连接到 GND、以强制使用 PFM。
谢谢!
Richard