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[参考译文] UCC21520:抗噪性

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21530
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1489733/ucc21520-noise-immunity

器件型号:UCC21520
Thread 中讨论的其他器件:UCC21530

工具与软件:

团队、  

由于客户发现 INA 和 INB 引脚在上电期间都有一些纹波噪声、因此可能会损坏半桥的 MOSFET。 在出现此纹波电压时、INA 或 INB 引脚可能会充当高电平以导致输出开关。

问题:客户询问在 INA/INB 与 GND 引脚之间是否有一个并联的10K 欧姆电阻作为下拉电阻、以提高抗噪性能(尚未验证)。 是否存在任何副作用或风险? 非常感谢。  

GPIO21 (S2-D、INA)

f

问题:MOSFET 被认为是短接在一起的。 客户现在仍在调查根本原因。

应用:单相串式逆变器

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    Brian、您好!

    输出具有并联的有源下拉电路、该电路可在加电期间将两个输出保持为低电平。 输入还具有180k 欧姆的下拉电阻、以确保在启动期间输入为高阻态时将其设置为低电平。 如果需要、添加一个100pF-1nF 的本地去耦电容器也有助于滤除输入噪声。 还有一个12ns 抗尖峰脉冲时域滤波器、即使瞬态脉冲超过输入阈值电压、也会将其忽略。

    您的客户是否通过方波观察到 UCC21530通过高电平驱动至 VB+的输出? 如果输入噪声确实导致输出开启、这将是显而易见的。

    如果没有、由于通过寄生 CDG 注入米勒电流、MOSFET 可能会自行开启。 当在 MOSFET 的漏极和源极上施加高 dV/dt 时、可以将电流注入栅极。 具有低阻抗的 MOSFET 源极钳制这种电流注入非常重要。 在您的电路中、栅极和栅极驱动器的下拉网络之间同时有一个二极管和6.8 Ω 阻抗。 这可能足以引起米勒注入危险。

    我建议将二极管移至开通路径、并使用0欧姆关断电阻、以防止米勒注入危险。 此外、您应该看看是否可以通过增加 HV 去耦电容来降低半桥上的启动 dV/dt。

    此致、

    Sean

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    你好,肖恩,他的评论。

    在 d/s 中、表示滤波器设计的 CIN 建议介于10pF 至100pF 之间。 但您提到它可以是100pF - 1nF。 这可能导致开关期间的传播延迟。 客户多年前遇到过此类故障、同一个转换器上的 CIN 电容为1nF、因此出现了损坏。 因此、客户需要考虑放置更高的输入电容。  

    对于器件输出的行为、我们将再次检查在上电期间是否存在故障导通?

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    Brian、您好!

    更大的输入电容器将具有更低的阻抗、这意味着对于给定的噪声电流注入、电压上升会更低。 如果输入电阻器保持为51欧姆、那么较大的电容器将增加传播延迟、但您可以降低输入电阻器以实现相同的传播延迟。

    如果输入噪声确实导致输出开启、您应该会在输出端看到一个方波。 如果 Vgs 更多是小三角波、则根本原因更可能是启动米勒注入、并且需要较低阻抗 Vgs 关断环路。

    此致、

    Sean