[参考译文] LM74502H：用于高电流24V 应用

Dan、您好。

LM74502H 应该能够驱动使用的 FET。 遗憾的是、不能提高控制器的驱动强度。

通过"不进入导通模式"、您是否意味着 FET 由于启动期间的高负载而违反 SOA？

您是否面临任何 FET 损坏？

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：

  感谢您的回复！ 我看到的数据表明、MOSFET 未能足够快地从线性区域中拉出、从而无法完全斜升连接的电源。 如果所连接的电子负载配置为零功耗(无负载)负载、则电路会持续上电。 例如、如果电子负载配置为1A 的负载、则电路的初级侧(带有驱动 IC OV 引脚的分压器/比较器电路的一侧)将不允许电源启动并以限流模式结束、从而快速循环开启和关闭。  

  在所有测试过程中都出现零 MOSFET 故障。 我可以让这个电路通过几种方式工作、一是先把次级输入连接到一个24VDC 电源、它是电路的非电压监控侧、工作正常。 然后、当我将电路的初级侧连接到+24伏时、它将正确加电。 直到 在输出端施加≈8安培的负载、此行为才会有效、此时仍会出现与上述问题相同的问题。 此外、我可以手动 将初级侧的 OV 引脚保持在高电平、同时施加电源并且电源将达到全电压(因为 IC 被切断) 、然后从 OV 引脚释放保持电压、从而使 IC 能够  导通、然后电路将正确为负载供电。 这也在 ≈>8安培负载时失败。 最后、当电子负载设置为低于 ≈8安培时、电路(一旦 使用这两种方法之一强制其正常工作)将成功地允许移除和恢复任一电源、而不会降低为负载提供的预期功率。 如果负载设置为高于 ≈8A 的电流并且主电源被移除并恢复、则输出降至零、电源再次进入电流限制状态。 我使用了五个不同的台式电源、从3A 到100A、均为线性和开关电源、用于测试结果相同。  

  我估算的是 MOSFET 对的  Qg ​≈315nC ×  2  = 630nC 。  ≈米勒平坦区域、这意味着两个 MOSFET 的栅极完全充电的时间为5 μ s 70μs 至57us。 通过9mA、- 11mA 可从 IC 获得栅极驱动。 由于电源输入 MOSFET 的漏极在启动时介于12至20伏之间(并且由电源限制电路开启/关闭)、我认为这会导致 MOSFET 卡在米勒平坦区域、这就是我们无法正常启动的原因。 理论上、更强大的栅极驱动器应使 MOSFET 快速导通、使其脱离线性区域、而电源没有时间检测到它为"短路"。 然而、这一切都无法解释为什么电路的次级侧看起来正常工作。  

  如果您需要进一步的信息、请告诉我。 如果需要、我可以将原理图分发给您。

祝你一切顺利。

Dan

Dan、您好。

请让我了解原理图和启动波形。  

请探测 VIN、VOUT、GATE、VCAP

此致、

Shiven Dhir