主题中讨论的其他器件:LM5156
工具与软件:
嗨、团队:
我们的客户想知道在以下条件下 COMP 拉电流典型值或最大值。
・FB=GND
・VREF=1V
Δ V・引脚电压>1V
根据我们的理解、当通过反激式拓扑使用该器件时、光耦合器的集电极-发射极电流由 Vcc 和 COMP 引脚提供。
他们希望知道当前值、以估算总集电极-发射极电流、从而保证光耦合器的使用寿命。
在上述条件下、您是否有任何有关 COMP 拉电流的数据?
此致、
Teritama
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工具与软件:
嗨、团队:
我们的客户想知道在以下条件下 COMP 拉电流典型值或最大值。
・FB=GND
・VREF=1V
Δ V・引脚电压>1V
根据我们的理解、当通过反激式拓扑使用该器件时、光耦合器的集电极-发射极电流由 Vcc 和 COMP 引脚提供。
他们希望知道当前值、以估算总集电极-发射极电流、从而保证光耦合器的使用寿命。
在上述条件下、您是否有任何有关 COMP 拉电流的数据?
此致、
Teritama
你好、Hassan
真值是典型值。 值为240uA、最大值为 值为300uA 而非典型值180uA?
gm 在外部控制补偿时不影响源电流。
据我所知、源电流是内部跨导和放大器输出(IO)。 因此、源电流值由以下公式定义。
IO = GM x (VSS 或 Vref -VFB)
这是不是错了? 您能否告诉我们如何定义 COMP 引脚的源电流值?
在客户用例中、FB 连接到 GND。 因此、如果遵循上面的公式、IO 在2mA 附近、最大值300uA 与2mA 之间存在间隙。
客户对上述差距感到困惑。
有助于解决这个问题。
此致、
Teritama
您好、Teritama、
感谢您对本主题的关注。
关于 COMP 引脚的拉电流、设计人员提供的信息如下所述。
根据连接的 GM 与 FB-VREF 的波形、您可以看到、GM 不是恒定的、但是为抛物线并达到 VREF = FB 时的最大值。 在 LM5156的实现中、还存在温度依赖性。 并非每个器件都是如此。
GM 始终受电路可提供的最大电流限制、此处为240uA +/- 25%。
对于 VFB 和 VREF 之间的小差值、Gm 与(VFB - VREF)成正比**2。 由于 MOSFET 的特性(ID~(VGS VTH-VTH)**2)。
当 VFB-VREF 变大时、电流受到施加到电路的偏置的限制。 您还可以发现附加了该曲线。
此致、
Hassan
哈桑、您好!
谢谢分享设计人员的解释。
我了解到、当 VFB 和 Vref 之间存在小差值时、gm 与 MOSFET 特性中的(VFB - VREF)** 2成正比、而当 VFB=0V 时、拉电流有限、典型值为240uA +/- 25%。
在第二条曲线中、X 轴似乎是 Vfb-Amp Vref、Y 轴是来自内部跨导放大器输出(IO)的源电流。 我的理解是否正确?
而限制电流值(240uA +/-25%)来自偏置工作电流? 我想值的差异在于偏置电源与其他块锡同时存在。
此致、
Teritama