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[参考译文] CSD23382F4:端接镀层工艺

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD23382F4
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495738/csd23382f4-termination-finish-plating-process

器件型号:CSD23382F4

工具与软件:

根据之前有关镍镀层的文章..."CSD23382F4终端镀层为1um Ni 和0.08um Au "、您能告诉我该器件使用哪种镀层工艺吗? 我有一封来自 TI 客户服务部门的很旧的通信、其中指出 CSD23382F4的端接涂层为"无电镀镍/浸金(ENIG)"、但我质疑这一点、因为 ENIG 电镀工艺通常用于印刷电路板、而电镀更常用于元件端接。 我提问的原因与 J-STD-001H 中的黄金去除要求有关、其中显示了对"ENIG"镀层的豁免。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、您好!

    感谢您关注 TI FET。 如您所述、CSD23382F4终端为1um Ni 和0.08um Au。 端接工艺为无电镍浸金(ENIG)。 金闪用于防止镍的氧化、提高可焊性并在回流过程中溶解为焊料。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用