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[参考译文] BQ24640EVM：如何对外部 FET 的栅极电阻器进行调优

admin
Guru**** 2390905 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24640, BQ24640EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1497284/bq24640evm-how-to-tune-gate-resistors-of-external-fets

器件型号：BQ24640EVM
主题中讨论的其他器件：bq24640、

工具与软件：

您好！

我的客户计划使用 BQ24640并正在评估 BQ24640EVM。
他们想以某种方式为外部 FET Q4和 Q5放置栅极电阻器。
应该如何调整这些栅极电阻器、有什么建议吗？ 是否有任何受限电阻范围(最小值/最大值)？


此致、

K.Hirano

  • 0
    TI__Guru**** 2390905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 K.Hirano：

    Eric Wong 说：
    如何调整这些栅极电阻、有什么建议吗？ 是否存在任何受限电阻范围(最小值/最大值)？

    感谢您使用 e2e 论坛。
    高侧/低侧 MOSFET 上的栅极电阻器可以增加以控制开关速度、这可能会增加损耗、但可以稳定电压过冲并减少噪声和振铃

    常见电阻值范围为1欧姆至10欧姆。
    如果您进一步增大电阻、开关损耗可能会增加太多、因此较高的值 相当罕见。

    此致、

    Christian。