Other Parts Discussed in Thread: TLV1117, LM1117
主题中讨论的其他器件: LM1117
工具与软件:
您好!
我正在从事一项设计、在可调版本中使用了几个 TLV1117 IC、在查看数据表时、我注意到输出电压公式似乎有些奇怪。 图像(从数据表中提取)中的电阻器 R1和 R2看起来是反相的。 R1不应该高于 R2、而不是高于 R1的 R2? 还包括从数据表中提取的典型应用的图像。
此致!
Rub é n。


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尊敬的 Rub é n:
部分正确、它与我们的大多数其他 LDO 反相。 这是因为与我们的大多数 LDO 不同、TLV1117使用的是浮动拓扑。 本质上、该器件试图在 ADJ 和 OUT 之间达到一致的电压差、而非浮动 LDO 以 FB 和 GND 之间的一致电压差为目标(请注意、FB 和 ADJ 具有大致相似的功能)。 这就是电阻器位置看似互换的原因。
对于理想建模、请参阅以下公式(当器件正确调节时、应满足这些公式):
| 悬空 | 非悬空 |
| VADJ = VOUT - VREF | VFB=VREF |
TLV1117采用浮动拓扑、因为它是同样使用该拓扑的 LM1117的后继芯片。
根据数据表、简单推导以确认(假设 IADJ 足够小)(也应校准 R1和 R2以确保这一点):

IR2是从 VADJ 节点通过 R2流向接地端的电流
该公式对于该特定架构是正确的。
此致!
Gregory Thompson