[参考译文] UCC23511：适用于48V-350A 和80V-300A 电机驱动器的栅极驱动器建议

尊敬的 Egemen：

我在这些应用中使用了非隔离式半桥(例如 UCC27712)、低侧的每个并联 FET 都有一个低侧缓冲器、每个并联高侧 FET 都有 PNP 关断缓冲器。 在高侧导通时、我使用了自举电源和一个电阻器连接到每个并联 FET。 但是、我不需要功能安全。  

如果您想使用隔离式栅极驱动器、此类低 Rdson Si MOSFET 具有大量米勒电容、因此使用具有米勒钳位的器件(例如 UCC23514M)会有所帮助。 您需要在每个并联栅极和米勒钳位之间连接1-2 Ω、以避免将栅极短接在一起。 另请注意、这些器件在其线性区域内具有高增益、这意味着、当高侧导通时、它会将任何 LD 和 CSW 谐振放大到较大的开关节点振荡中、从而会快速超过~100V VDS 击穿额定值。

如果您仍然灵活、我建议测试 SiC FET。 它在线性区域具有较低的增益和较高的 Vds 击穿额定值、可防止损坏。

FF600R12KE7等 IGBT 模块也是一种在没有并联 FET 的情况下处理极高电流的方法、但这些模块具有更高的开关损耗。

并联 Si FET 设计可能需要您进行几种布局、因为您需要更加注意高压去耦设计。 然而、并联 FET 成本更低、导通损耗也更低。  

此致、

Sean