[参考译文] CSD17308Q3：雪崩单脉冲仿真(数据表中的绝对最大额定值)

您好、Eric、

感谢您关注 TI FET。 雪崩能量公式为：EAS =½ x L x I²=½ x 0.1mH x (36A)²= 0.0648J = 65mJ。 CSD17308Q3在量产的最终测试中经过100%单脉冲 UIS 测试。 如以下链接的技术文章所述、在产品开发过程中对示例 FET 进行了销毁测试、以确定 UIS 能力。 数据表中的 UIS 单脉冲限值会因能够确保足够的裕度而降额。 TI 不会测试、指定或建议在重复雪崩模式下运行 FET、因为这可能会导致高故障率。 我很好奇您为什么要尝试模拟 UIS。 您在最终应用中是否遇到问题？ 您能否分享 TINA-TI 仿真和应用原理图以进行审核？

https://www.ti.com/lit/ta / ssztcs7/ssztcs7.pdf

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John：

感谢您的回答。  

 应用是 E 类放大器、即电感负载开关。 Vg 开关~ 6 -7MHz。 当负载关断时、Vds 尖峰~33V (实际测量值~36V)、但峰值没有截断、根据数据表、它应该已经超过雪崩最大电压。 根据我的计算、每个峰值都会给出 EAS < 2uJ。 如果这是60Hz 的重复雪崩模式、则耳的频率为~40mJ。 远低于绝对最大额定值的65mJ。  在这种情况下、CSD17308Q3发生故障的风险是多少？

BTW、 电感器为~Ω 125-150nH

您好、Eric、

感谢您提供最新信息。 我回顾了该应用程序的历史。 多年来、我们一直与终端客户合作。 过去对雪崩有一些担忧、客户的测试表明 FET 未在重复雪崩模式下运行。 设计是否发生了更改？ 终端客户提供的原理图使用了1μH 电感器。

正如我在之前的响应中所述、TI 仅对单脉冲雪崩条件下的 FET 额定值。 这是行业标准、对于重复雪崩、FET 制造商的速率并不多。 如果是这样、它通常比单脉冲额定值低几个数量级。 单脉冲额定值基于故障测试结果、然后降额至数据表中故障电流/能量的~65%。

此应用中的雪崩能量相对有限、不会立即导致灾难性故障。 反复将 FET 暴露于雪崩可能会导致器件长期性能下降和潜在故障。 这是由于热载流子注入栅极氧化物、会随着时间的推移导致较低的 Vth 和较高的漏电流。 因此、TI 不建议在重复雪崩条件下运行 FET。 但是、我们尚未对重复雪崩进行任何可靠性研究、无法预测这些条件下器件的故障率或寿命。

我为之前回复中包含的技术文章 I 中所示的雪崩测试电路创建了一个简单的 TINA-TI 仿真。 使用产品文件夹中提供的 CSD17308Q3模型、VDS 被钳位在略高于33V 的电压(这是用于对 FET 体二极管进行建模的二极管的反向 BV)。

我非常高兴查看原理图和布局、看看是否有任何改进的空间来减少过冲。 如果您不能在这个公共论坛上分享、您始终可以通过私人消息将其发送给我。 或者、您也可以直接向我发送电子邮件至 jwallaceri@ti.com。

谢谢、

John

您好、Eric、

跟进、看看我是否可以提供进一步帮助。 请告诉我。

谢谢、

John

您好、John、感谢您的跟进。 之后我会再回来讨论雪崩问题。 我正在开发另一个需要的仿真模型  CSD87301Q5D/CSD87302Q5D  但我似乎找不到他们的 TINA SPICE 模型。 我可以发送电子邮件给您以获得有关此方面的帮助吗？

您好、John、感谢您一如既往的迅速响应。 我得到了 SPICE 模型、并使用宏转换为 Tina。 第一次做,银色的光滑。 感谢您的帮助！  

您好、Eric、

跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

谢谢、

John