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器件型号:BQ76952 主题:CSD19536中讨论的其他器件
工具/软件:
您好、先生、
我参考 TIDA-020216低侧 BMS 设计通过 TINA 进行反向充电器插件仿真(详细信息请在下方找到)。 作为仿真结果、当反向充电器插入时、放电 MOS 漏极电压将超过100V。 这是否意味着当充电器由于 CSD19536 VDS 仅为100V 而反转插件时、放电 MOS 将损坏? 除了将 MOS 更改为150V 外、还有任何关于反向充电器保护的其他建议?