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[参考译文] BQ76952:BQ76952低侧 BMS 设计的反向充电器保护

Guru**** 2390735 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1499987/bq76952-reverse-charger-protection-for-bq76952-low-side-bms-design

器件型号:BQ76952
主题:CSD19536中讨论的其他器件

工具/软件:

您好、先生、

我参考 TIDA-020216低侧 BMS 设计通过 TINA 进行反向充电器插件仿真(详细信息请在下方找到)。 作为仿真结果、当反向充电器插入时、放电 MOS 漏极电压将超过100V。 这是否意味着当充电器由于 CSD19536 VDS 仅为100V 而反转插件时、放电 MOS 将损坏? 除了将 MOS 更改为150V 外、还有任何关于反向充电器保护的其他建议?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Antonio:

    我建议添加反向并联二极管、如下所示:

    它可以将反向电压钳位到二极管正向电压。

    或者、可以添加一些与 FET 并联的齐纳二极管、保护它们免受过应力故障的影响。

    BRS

    KIAN