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[参考译文] BQ77915:10S1P 电池组的原理图审阅

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1497170/bq77915-schematic-review-for-10s1p-pack

器件型号:BQ77915

工具/软件:

尊敬的 TI:

我能否对基于 BQ77915的堆叠式10S1P BMS 设计进行原理图审阅? 我使用的是"01"型号(BQ779151)和21700电芯、电压范围为4.2V 至2.5V。 不过、我计划在2.8V 实现 UVLO。 但是、我使用"00"型号、需要充电至4.2V、并且我不确定4.2V OVLO 是否与4.2V 充电结束电压发生冲突、因此我改为使用"01"的4.25V OVLO。 附原理图和 BOM。

充电/放电电流最高可达9A、但是电芯和电芯连接的能力明显更高、因此在标称17.5A 下实施 OCD。 该电池包将集成在240W USB-C 设计中。

我不确定 Q6是否是 CHG 引脚的保护 PMOS 的正确选择-请告诉我它是否合适:)我 遵循了数据表中的图10-5、并尝试实现与 FET 相关的所有保护。

请原谅我在1到11之间乱使用电芯连接(1表示 PACK+、11表示与 BMS 的无保护接地包连接)。

谢谢你这么多Slight smile 如果你能 尽快完成这篇评论,我会非常感激,因为我需要在几天内发送印刷电路板生产,以制作一个 YouTube 视频在月底,在我的频道' Haase Industries'与10K 用户。 Slight smileμ s

祝您愉快!

此致、

雨水  

e2e.ti.com/.../8883.BMS.pdfe2e.ti.com/.../BMS.xlsx

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    您好、Rain、

    感谢您的耐心。 您的原理图看起来没有问题。  我也有以下建议:

    1.  DSG FET 的栅极到源极之间也有一个电阻器。
    2. 从 DSG FET 源到 CHG FET 源的两个串联电容器(0.1uF)、用于 ESD 保护。 这是中的 C18和 C19 图12. bq77915EVM 原理图 选择磁性元件。

    此致、
    Alexis

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    尊敬的 Alexis:

    感谢您的反馈 Slight smile

    祝你度过美好的一天!