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[参考译文] BQ2060：低功耗存储模式查询

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2060, BQ41Z50, BQ40Z50
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1499706/bq2060-low-power-storage-mode-queries

器件型号：BQ2060
主题中讨论的其他器件： BQ41Z50、 BQ40Z50

工具/软件：

您好：

我 对 BQ2060低功耗存储模式有一些疑问。

1.在低功率存储模式下,  自放电率是否也不起作用?

2、从低功率存储模式唤醒后会发生什么情况? 寄存器中存储的值是否会恢复到低功耗存储模式启动之前的值？ 我正在使用的寄存器的完整列表包括：


RemainingCapacityAlarm 0x01  
BatteryMode 0x03  
温度0x08  
电压0x09  
电流0x0A  
AverageCurrent 0x0B  
MaxError 0x0c  
RelativeStateOfCharge 0x0d
AbsoluteStateOfCharge 0x0E  
RemainingCapacity 0x0F  
FullChargeCapacity 0x10  
ChargingCurrent 0x14  
ChargingVoltage 0x15  
BatteryStatus 0x16
CycleCount 0x17  
DesignCapacity 0x18
DesignVoltage 0x19  
ManufactureDate 0x1b  
SerialNumber 0x1c  
CustomData2f 0x2F  
CustomData3c 0x3c  
CustomData3d 0x3D
CustomData3e 0x3e  
CustomData3f 0x3f  

3. 如果上述寄存器被重置为默认值/随机值,那么 唤醒后是否必须重新校准?

4.对于 CFC 和 DFC 引脚、它们是否都将在低功率存储模式下关闭？  

5.唤醒后最大错误重置为100%吗?

 

如果您有 BQ2060的其他直接替代产品、另请建议我尝试查看。 但到目前为止、我看到该器件仍然处于活动状态-如果有计划过时、请告诉我。

提前感谢您、期待您的答复。

此致、

Amirul

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好：

    1 - BQ2060在此模式下停止跟踪自放电(无活动更新)、但电池的物理自放电会继续。 唤醒时恢复跟踪、根据存储的参数估算损耗。
    存储在 EEPROM 中的2静态寄存器(例如 DesignCapacity、SerialNumber)恢复其预睡眠值。 动态寄存器(例如、Voltage、Current、RemainingCapacity)更新以反映当前电池状态、而不是预睡眠值。
    3-如果寄存器重置为默认值/随机值(例如、由于断电)、则必须重新校准以确保准确性。 在正常唤醒状态下、EEPROM 数据可防止此情况发生、除非电池状态发生显著变化、否则不需要重新校准。
    4 -在低功耗储能模式下、CFC (充电 FET 控制)和 DFC (放电 FET 控制)引脚都可能关闭、以节省电力并隔离电池、在唤醒后恢复正常运行。
    5 - MaxError 在唤醒时保留其预睡眠值、不会复位至100%、除非发生完全复位或在睡眠后检测到显著的容量错误。
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、Jose、

    感谢您的回答、但不能回答 3我希望对此声明做出更多解释："除非电池状态发生显著变化、否则不需要重新校准。"

    1.电池状态发生了什么变化? 它是否在 RM / FCC 中发生了变化、或任何其他影响此情况的变化？

    2.如果你要量化"显著变化",那么这个数字会是什么? 对于以下2种情况、他们是否考虑重大变化并需要重新校准？

        a)在 SOC 预睡眠情况下、唤醒后为50%。

        b)如果是1年到2年的睡眠时间。 (多年来的细胞退化可能会产生影响？)

    3. BMS IC 检测到这一重大变化时是否会自动升高 relearn_flag？ 根据数据表中正常模式下的重新学习标志、仅在完全复位或20个周期计数且未更新 FCC 的情况下才会出现。

    此致、

    Amirul

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Amirul、

    您的问题正在审核中、正在进行调查以寻求答复。

    谢谢您、
    Alan

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好：

    1 -"显著变化"是指由于自放电、容量衰减或老化而影响 SOC 的存储数据(RM、FCC)与唤醒后的实际电池状态不匹配、 RM、FCC 或电压测量值。

    2-  
    a) SOC 70%到50%：除非 MaxError 急剧上升或需要高精度、否则20% SOC 下降不明显；可能无需重新校准。

    b)  1–2年睡眠：由于容量衰减了10–20%(200–400 mA)且自放电导致 SOC 大幅下降、可能显著。 建议重新校准。

    3 - BQ2060在唤醒后也不会升高 relearn_flag、即使发生了重大更改也是如此。 根据数据表、它仅在完全复位后或20个周期而无 FCC 更新后设置。


  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、Jose、

    感谢您的持续支持。

    自放电率还有一件事-如果自放电率 编程为电芯自放电+ IC 正常工作电流、然后电池进入睡眠模式并存储1年、唤醒后、由于睡眠模式的电流消耗、RM 报告的值是否比实际容量小得多？  

    如果是这种情况、那么如何区分 IC 正常运行模式下的自放电和睡眠模式下 IC 下的自放电？

    此致、

    Amirul

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好：

    如果针对电芯+正常 IC 电流编程了自放电率(例如、每年30%)、但 IC 在睡眠模式下使用的电流较小(例如、每年的实际损耗25%)、则报告的 RM 将比实际容量低~5%(例如、2000 mA 电池的100 mA)。 这并不是"遥不可及"、但可能需要针对高精度应用进行校正。

    分离自放电率：

    1. 计算电芯自放电(每月2%)和 IC 贡献：正常模式(150 µA 为5.4%)和睡眠模式(15 µA 为~0.54%)。
    2. 将 BQ2060编程为正常模式(例如每月7.4%)、并通过重新添加高估的损耗(例如每年5%的睡眠持续时间×μ s)、在睡眠后调整 Rm。
    3. 或者、可编程为睡眠模式(每月2.54%)并在正常操作期间进行调节、具体取决于您的用例。
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、Jose、

    后续问题如下：

    1)这是否意味着计算(选项2/Option 3)必须在外部完成并覆盖 RM 以进行调整？

    2)是否有一个寄存器可以为我们提供准确的 IC 总睡眠时间、或者这也需要手动计算？ IC 是否具有 可在睡眠模式下继续工作的内部 RTC？

    3)我期望 IC 考虑到电池所处的电压水平,可以自动进行 RM 调整。 例如、睡眠电池的电压将明显高于正常工作电池的超时电压、因此与正常工作电池相比、睡眠电池的 RM 应更高。 我的理解是、IC 在计算 RM 值之前、肯定还会考虑电压电平、并且并不完全取决于编程的自放电率、如果我错了、请纠正我。

    4)数据表中提到、在 SLEEP 模式下、IC 不执行任何电量监测计功能、这是否排除自放电？

    5)我的想法是在睡眠前后覆盖自放电率,而不是在唤醒后调整 RM。 在每次睡眠之前、我计划 将自放电率编程为较低、并在每次唤醒时将自放电率编程为较高。 该想法是否也适用于密封 IC？ 我通过网站搜索,没有办法解封电池(我们目前手头有很多超过1000个单元)。

    6)您是否有任何其他与 SMBUS 兼容的 BMS IC 可以自动进行此 RM 调整？ 我看到、BQ41Z50具有在 SMBD/SMBC 线路关闭时自动睡眠的特性-这款具有阻抗跟踪功能的新一代 BMS IC 是否也需要外部手动干预、以便在长时间睡眠后准确调整 RM？

    此致、

    Amirul

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好：

    1- 是的、选项2/3需要外部计算和覆盖 RM 以纠正自放电率差异。

    2 - 没有寄存器跟踪睡眠时间；BQ2060缺少 RTC。 您将需要一个外部计时器来计算睡眠持续时间。

    3 - BQ2060不会在唤醒后根据电压调整 RM；它依赖于编程设定的自放电率。 电压影响 RSOC、但 RM 需要手动校正。

    4 - BQ2060在睡眠期间不主动跟踪自放电(无电量监测计功能)；它在唤醒时追溯应用编程的速率。

    5 - 您的想法是在睡眠前/睡眠后调整自放电率、这不适用于密封 IC、因为您无法修改 EEPROM。 改为调整 RM。

    6 - 采用 Impedance Track 的 BQ40Z50可在长时间睡眠后使用电压和阻抗自动调整 RM、从而更大限度地减少手动干预。它 与 SMBus 兼容、比 BQ2060更适合您的需求。